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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

NRVB1H100SFT3G

Name: NRVB1H100SFT3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Part of MBR1H100SFT3G Series

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: NRVB1H100SFT3G

データシート: NRVB1H100SFT3G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOD-123FL

製品の種類: Schottky Diodes & Rectifiers

RoHS ステータス:

在庫状況: 9458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NRVB1H100SFT3G 概要

This Schottky Rectifier uses the Schottky Barrier principle with a large area metal-to-silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications, where compact size and weight are critical to the system. Because of its small size, it is ideal for use in portable and battery powered products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and 'Oring' of multiple supply voltages and any other application where performance and size are critical.

特徴

Low Forward Voltage
Guardring for Stress Protection
175°C Operating Junction Temperature
Epoxy Meets UL94 V-0
Package Designed for Optimal Automated Board Assembly
ESD Ratings:
Machine Model = C, Human Body Model = 3B
This is a Pb-Free Device

Mechanical Characteristics:
Reel Options: MBR1H100SFT3G = 10,000 per 13 in reel/8 mm tape
Device Marking: L1H
Polarity Designator: Cathode Band
Weight: 11.7 mg (approximately)
Case: Epoxy, Molded
Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)
Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds
Device Meets MSL 1 Requirements
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

応用

Power Conversion Circuit
Reverse Battery Protection
Protection and Free Wheeling Diode
Gate Driving Circuit

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	SOD-123FL	Case Outline	498-01
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	10000
ON Target	Y	Configuration	Single
VRRM Min (V)	100	VF Max (V)	0.76
IRM Max (µA)	40	IO(rec) Max (A)	1
IFSM Max (A)	50

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The NRVB1H100SFT3G chip is a high voltage Silicon Carbide Schottky diode designed for use in power conversion applications. It offers low forward voltage drop, fast switching speeds, and high temperature operation, making it ideal for high power and efficiency requirements.
Equivalent

The equivalent products of NRVB1H100SFT3G chip include NRVB1H100SFTWG, NRVB1H100SFTWG-M2, and NRVB1H100SFTWGM2J. These chips are similar in specifications and performance, making them suitable alternatives for the NRVB1H100SFT3G chip.
Features

NRVB1H100SFT3G is a high-speed Schottky diode with a reverse voltage of 100V, forward current of 1A, and a small foot print. It has a low forward voltage drop, fast switching speed, and is suitable for high frequency applications.
Pinout

The NRVB1H100SFT3G is a Dual Schottky Barrier Diode Array with a pin count of 3. Pin configuration: Pin 1 - Common cathode, Pin 2 - Anode, Pin 3 - Anode. This diode array is designed for voltage clamping protection in electronic circuits.
Manufacturer

The manufacturer of the NRVB1H100SFT3G is ROHM Semiconductor. They are a Japanese company that specializes in the design and manufacture of integrated circuits, transistors, and other electronic components. ROHM Semiconductor primarily focuses on providing semiconductor solutions for various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The NRVB1H100SFT3G is commonly used in radio frequency power amplifiers, RF transceivers, and microwave circuits. It is suitable for applications in wireless communication systems, radar systems, satellite communication, and industrial RF heating equipment. Its high power handling capability and high efficiency make it ideal for high-performance RF applications.
Package

The NRVB1H100SFT3G chip comes in a SOT-23-3 package type, surface mount form, and measures 2.8mm x 2.9mm x 1.3mm in size.