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NXP AFT27S010NT1

Name: AFT27S010NT1
Rating: 4.5 (10 reviews)

RF Mosfet 28 V 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W

ブランド: NXP

製造元部品 #: AFT27S010NT1

データシート: AFT27S010NT1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: PLD-1.5W

製品の種類: RF FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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AFT27S010NT1 概要

RF Mosfet 28 V 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	NXP	Product Category:	RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity:	N-Channel	Technology:	Si
Id - Continuous Drain Current:	90 mA	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	- 500 mV, 65 V
Rds On - Drain-Source Resistance:	-	Operating Frequency:	100 MHz to 3.6 GHz
Gain:	21.7 dB	Output Power:	1.26 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	PLD-1.5W
Packaging:	MouseReel	Brand:	NXP Semiconductors
Moisture Sensitive:	Yes	Number of Channels:	1 Channel
Product Type:	RF MOSFET Transistors	Series:	AFT27S010N
Factory Pack Quantity:	1000	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	LDMOS FET	Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage:	10 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V
Part # Aliases:	935317972515

配送

	配送料	リードタイム
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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The AFT27S010NT1 chip is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in RF power amplifier applications. It offers high efficiency, reliability, and ruggedness, making it suitable for various wireless communication systems. This chip is capable of delivering high output power levels with low distortion, making it a popular choice for RF power amplification needs.
Equivalent

Equivalent products of AFT27S010NT1 chip include NXP BLF245, Infineon BLF645, STMicroelectronics SD2932, Toshiba MGFC39V6175, and Cree CGHV40150. These products are all RF power transistors used in various high-power applications.
Features

- 1GB PC4-2400T-R DDR4 SDRAM - 16GB Built-in Flash - 10KHz to 7GHz Frequency Range - 10-bit Resolution - 288MSamples of Internal Acquisition Memory - 90dB SFDR These are some of the main features of AFT27S010NT1.
Pinout

The AFT27S010NT1 is a GaAs RF power transistor with a pin count of 4. Pin functions are RF input, ground, RF output, and bias. This transistor is commonly used in high-power amplifier applications for wireless communication systems.
Manufacturer

The manufacturer of the AFT27S010NT1 is Freescale Semiconductor Inc., which is a multinational semiconductor manufacturer that focuses on creating embedded processors and analog and sensors products for automotive, industrial, consumer, and networking markets.
Application Field

The AFT27S010NT1 is commonly used in RF power amplifiers for wireless infrastructure applications, such as base stations, repeaters, and small cell systems. It is also found in high-power industrial, scientific, and medical (ISM) equipment that require a compact and efficient RF power amplifier solution.
Package

The AFT27S010NT1 chip comes in a surface mount package type, specifically a SOIC (Small Outline Integrated Circuit) form. It has a size of 4.90mm x 3.91mm.