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$5000
SI7456DP-T1-E3
MOSFET capable of handling 9.3A current and 5.2W power at 100V
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI7456DP-T1-E3
データシート: SI7456DP-T1-E3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: PowerPAK-SO-8
RoHS ステータス:
在庫状況: 8,159 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $1.093 | $1.093 |
| 10 | $0.986 | $9.860 |
| 30 | $0.927 | $27.810 |
| 100 | $0.862 | $86.200 |
| 500 | $0.833 | $416.500 |
| 1000 | $0.819 | $819.000 |
在庫あり: 8,159 PCS
SI7456DP-T1-E3 概要
The package includes important specifications like power dissipation, termination type, and voltage ratings. With a typical voltage Vds of 100V and a voltage Vgs Rds measurement of 10V, this MOSFET can handle high-power applications with ease. The SMD termination type ensures reliable connectivity in surface mount PCB designs
特徴
応用
Primary Side Switch for High Density DC/DC |Telecom/Server 48 V, Full-/Half-Bridge DC/DC |Industrial and 42 V Automotive D仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9.3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 25 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 36 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 5.2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 26 ns |
| Forward Transconductance - Min | 35 S | Height | 1.04 mm |
| Length | 6.15 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Width | 5.15 mm | Part # Aliases | SI7456DP-E3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI7456DP-T1-E3 is a power MOSFET component that is part of the Vishay Siliconix family. It is designed for use in switching applications in various electronic devices. This chip offers low on-resistance, high-speed switching capabilities, and is suitable for a wide range of voltage and current requirements.
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Equivalent
The equivalent products of the SI7456DP-T1-E3 chip are SI7456DP-T1-GE3 and SI7456DP-T1-RE3. These chips have similar specifications and functionality, making them suitable replacements for the SI7456DP-T1-E3 in various applications. -
Features
1. Low RDS(on) of 0.75 ohms 2. Low gate charge for improved efficiency 3. High peak current capability 4. Designed for automotive applications 5. RoHS compliant 6. Halogen-free 7. Low profile DPAK package (Note: This information is subject to change and may not be up to date.) -
Pinout
The SI7456DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate1, source1, drain1, gate2, source2, and drain2. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The SI7456DP-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that produces discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SI7456DP-T1-E3 is commonly used in high-speed communication protocols, such as Ethernet, SONET, and Fibre Channel. It is also suitable for applications in industrial automation, automotive electronics, and consumer electronics due to its low capacitance and high bandwidth capabilities for ESD protection. -
Package
The SI7456DP-T1-E3 chip comes in a DFN (Dual Flat No-Lead) package type, with a dual MOSFET form factor. The size of the chip is 3mm x 3mm in dimension.
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