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注文金額が
$5000SI7469DP-T1-E3
SI7469DP-T1-E3 is a MOSFET designed with an -80V Vds and a 20V Vgs, enclosed in a PowerPAK SO-8 package
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI7469DP-T1-E3
データシート: SI7469DP-T1-E3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: PowerPAK-SO-8
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
SI7469DP-T1-E3 概要
The SI7469DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for high-power applications. With a continuous drain current of -28A and a drain source voltage of -80V, this transistor offers reliable and efficient performance. Its low on-resistance of 0.021ohm and high power dissipation of 83W make it suitable for demanding tasks, whether in industrial, automotive, or consumer electronics
特徴
- Wide operating temperature range
- Excellent thermal performance
- Low noise and vibration
- Precise control and measurement
応用
- Precise switching control
- Durable battery management
- Flexible overvoltage protection
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 160 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 83 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 110 ns |
| Forward Transconductance - Min | 52 S | Height | 1.04 mm |
| Length | 6.15 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 220 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 95 ns | Typical Turn-On Delay Time | 45 ns |
| Width | 5.15 mm | Part # Aliases | SI7469DP-E3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI7469DP-T1-E3 is a high-speed, dual N-channel MOSFET power switch designed for load switches in portable applications. It features a low on-resistance and high current-handling capability, making it ideal for use in battery-powered devices where efficiency and reliability are crucial. This chip is commonly used in smartphones, tablets, and other handheld electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products of SI7469DP-T1-E3 chip are Infineon BSP742R and ON Semiconductor NTB74202N. These are all high-side smart power switches with similar features and specifications suitable for various applications. -
Features
SI7469DP-T1-E3 is a 20V, 60A p-channel MOSFET with low on-resistance and guaranteed avalanche performance. It is lead-free and RoHS-compliant, making it suitable for high-efficiency power management applications. It also has a compact footprint and is designed to handle high power densities. -
Pinout
The SI7469DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate (G), source (S), and drain (D) for the two P-channel MOSFETs. This device is commonly used for power management applications where high efficiency and compact size are required. -
Manufacturer
SI7469DP-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, an American company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology is a global industry leader in creating components for a wide range of applications, including automotive, industrial, consumer, military, and aerospace sectors. -
Application Field
SI7469DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET specifically designed for power management applications, including load switching and battery protection. It is commonly used in portable devices, IoT devices, and power supply modules. It offers low on-state resistance and high efficiency, making it suitable for high-performance and energy-efficient applications. -
Package
The SI7469DP-T1-E3 chip is a dual P-channel MOSFET in a PowerPAIR package. It comes in a reel form with a size of 4mm x 6mm.
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