画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000SIR626DP-T1-RE3
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
ブランド: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
製造元部品 #: SIR626DP-T1-RE3
データシート: SIR626DP-T1-RE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: PowerPAK® SO-8
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
SIR626DP-T1-RE3 概要
N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
特徴
- Sophisticated logic and control
- User-friendly interface with intuitive controls
- Advanced sensor technology for precise monitoring
- Fully compatible with standard protocols
- Easy integration into existing systems
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
| Factory Lead Time | 14 Weeks, 4 Days | Date Of Intro | 2017-03-22 |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | Avalanche Energy Rating (Eas) | 125 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 100 A |
| Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.002 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 104 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Turn-off Time-Max (toff) | 78 ns |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SIR626DP-T1-RE3 is a high-performance RF power amplifier module designed for applications in the 0.5 to 2.5 GHz frequency range. This chip offers excellent power added efficiency and linearity, making it ideal for use in cellular infrastructure, repeaters, small cells, and other wireless communication systems. Its compact size and high reliability make it a versatile option for high-power RF applications.
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Equivalent
Some equivalent products of SIR626DP-T1-RE3 chip are SIR633DP-T1-RE3, SIR624DP-T1-RE3, and SIR625DP-T1-RE3 from the same manufacturer. These chips are all dual P-channel MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
- SIR626DP-T1-RE3 is a high-speed, low resistance, dual P-channel MOSFET - Features a drain-source voltage of -30V - Provides a maximum continuous drain current of -7A - Designed for use in portable electronics, battery protection circuits, and load switching applications -
Pinout
The SIR626DP-T1-RE3 is a Dual P-Channel MOSFET with 8 pins. Its functions include providing high-speed switching for power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SIR626DP-T1-RE3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a company that specializes in the design and production of discrete semiconductors and passive electronic components. They are known for their high-quality products and innovative solutions for various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
SIR626DP-T1-RE3 is commonly used in applications requiring fast switching speeds and high breakdown voltage, such as high-frequency power amplifiers, radar systems, and microwave applications. It is also suitable for use in power management systems, RF transmitters, and satellite communication systems. -
Package
The SIR626DP-T1-RE3 chip is a diode rectifier in a D-PAK package. It has a surface mount form and a size of 6.6mm x 9.2mm x 3.6mm.
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