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SI2393DS-T1-GE3

Name: SI2393DS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

ブランド: Vishay Siliconix

製造元部品 #: SI2393DS-T1-GE3

データシート: SI2393DS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,467 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2393DS-T1-GE3 概要

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

特徴

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

応用

SWITCHING

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Series	TrenchFET® Gen IV	Product Status	Active
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.7mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+16V, -20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta), 2.5W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SI2393DS-T1-GE3 chip is a power MOSFET transistor designed for low voltage applications. It has a compact size and low on-resistance, making it suitable for portable electronic devices and battery-powered systems. The chip offers high power efficiency and reliable switching performance, making it an ideal choice for various applications requiring efficient power management.
Equivalent

There are no direct equivalent products of the SI2393DS-T1-GE3 chip. However, some similar alternatives include SI2392DS-T1-GE3, SI2305DS-T1-GE3, and SI2304DS-T1-GE3 chips, which offer comparable specifications and features.
Features

The SI2393DS-T1-GE3 is a N-Channel MOSFET with a voltage rating of 30V and a current rating of 2.8A. It is designed for low voltage applications, offering low on-resistance and high performance in a compact package.
Pinout

The SI2393DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor. It has a pin count of 6 and operates as a high-side or low-side switch for power management applications.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2393DS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components. They provide a wide range of products including MOSFETs, power ICs, diodes, resistors, and capacitors for various applications in industries such as automotive, military, consumer electronics, and telecommunications.
Application Field

The SI2393DS-T1-GE3 is a dual N-channel 30V MOSFET that can be used in various applications where low on-resistance, high current handling, and efficient power switching are required. Some possible application areas include power management, battery charging, motor control, switching regulators, and load switches.
Package

The SI2393DS-T1-GE3 chip is available in a surface mount package type called SOT-23-3. It has a three-pin form and measures approximately 2.9 mm x 1.3 mm in size.