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$5000
SI7288DP-T1-GE3
Transistor with Dual N-Channel configuration, 40V Source Voltage, and capable of handling 20A Continuous Drain Current
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI7288DP-T1-GE3
データシート: SI7288DP-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: PowerPAK-SO-8
RoHS ステータス:
在庫状況: 5,039 個、新しいオリジナル
製品の種類: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $0.891 | $0.891 |
| 10 | $0.814 | $8.140 |
| 30 | $0.771 | $23.130 |
| 100 | $0.721 | $72.100 |
| 500 | $0.582 | $291.000 |
| 1000 | $0.573 | $573.000 |
在庫あり: 5,039 PCS
SI7288DP-T1-GE3 概要
The SI7288DP-T1-GE3 MOSFET transistor provides design engineers with a versatile and dependable solution for their circuitry needs. Its exceptional performance characteristics, combined with the convenience of Tape & Reel packaging, make it a valuable component for various electronic devices and equipment. With its PowerPAK® SO-8 Dual package type and N-Channel configuration, this transistor offers flexibility and efficiency in power management applications. Trust the SI7288DP-T1-GE3 to deliver consistent and reliable performance in your next design project
特徴
- Pulse-width modulation enabled
- Soft-start circuitry integrated
- Thermal shutdown protection
応用
Backlight Inverter for LCD Displays |DC/DC Converter D1 D2仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V | Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 19 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 15.6 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI7 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Dual |
| Fall Time | 8 ns | Forward Transconductance - Min | 39 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 8 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | Part # Aliases | SI7288DP-GE3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
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パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI7288DP-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET chip designed for highside load switching in a variety of power management applications. It features a low on-resistance, high current capability, and low gate threshold voltage, making it ideal for efficient power control in portable devices, telecom equipment, and other industrial applications.
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Equivalent
Some equivalent products of SI7288DP-T1-GE3 chip are D70333GJ-10, AON7430, and IRFD9110. These chips have similar specifications and can be used as substitutes for the SI7288DP-T1-GE3 in various electronic applications. -
Features
SI7288DP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET power switch with a low ON-resistance and high current carrying capability (7.6A). It has an integrated Schottky diode for reverse battery protection and a built-in gate driver for ease of use. The device also features thermal shutdown and overcurrent protection for added reliability. -
Pinout
SI7288DP-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. It is typically used for power management in portable devices due to its low on-resistance and low voltage drop. The device functions as a power switch, enabling efficient battery charging and power distribution in a compact package. -
Manufacturer
The manufacturer of SI7288DP-T1-GE3 is Vishay, a multinational company specializing in the design and manufacturing of electronic components. Vishay produces a wide range of products, including discrete semiconductors, optoelectronics, resistors, capacitors, and sensors, catering to various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
SI7288DP-T1-GE3 is commonly used in applications such as LED drivers, power supplies, and voltage regulators. It can also be utilized in industrial automation, automotive electronics, and consumer electronics due to its high efficiency and low on-resistance characteristics. -
Package
The SI7288DP-T1-GE3 chip is a dual P-channel MOSFET in a PowerPAK SO-8 package. It is in a surface-mount form with a size of 5 mm x 6 mm.
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