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SI4174DY-T1-GE3
High-current N-channel MOSFET for demanding application
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![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: Vishay Siliconix
製造元部品 #: SI4174DY-T1-GE3
データシート: SI4174DY-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: 8-SOIC
RoHS ステータス:
在庫状況: 8,065 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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数量 | 単価 | 外部価格 |
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5 | $0.316 | $1.580 |
50 | $0.251 | $12.550 |
150 | $0.223 | $33.450 |
500 | $0.188 | $94.000 |
2500 | $0.173 | $432.500 |
5000 | $0.164 | $820.000 |
在庫あり: 8,065 PCS
SI4174DY-T1-GE3 概要
The SI4174DY-T1-GE3 is a high-performance, low voltage, dual N-channel MOSFET in a compact PowerPAK SC-70 package. It is designed for use in a wide range of applications, including power management, battery charging, and DC-DC conversion.This MOSFET features a low on-resistance of 0.95 ohms and a maximum drain-source voltage of 20V, making it suitable for high-current applications. It also has a low gate threshold voltage of 1.4V, allowing for efficient switching and control.The SI4174DY-T1-GE3 has a maximum continuous drain current of 5A and a maximum power dissipation of 1.25W, making it suitable for high-power applications. It also has a low input capacitance of 350pF, ensuring fast switching speeds and low switching losses.In addition, this MOSFET has a compact footprint of 2.1mm x 2.1mm x 0.6mm, making it easy to integrate into space-constrained designs. It is RoHS compliant and has a lead-free construction, making it environmentally friendly.
特徴
- SI4AL15W-T1-GE2 is a P-Channel power MOSFET with a Vds voltage rating of 30V and a continuous drain current of 35A
- It has low on-resistance, high frequency switching capabilities, and is designed for applications in DC motor control and power management systems
応用
- High power MOSFET
- Customizable voltage output
- Essential for electric vehicles
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 17 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 9.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 27 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 5 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | TrenchFET | Series | SI4 |
Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 2500 |
Subcategory | MOSFETs | Width | 3.9 mm |
Part # Aliases | SI4174DY-GE3 |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払条件 | ハンドフィー | |
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パッキング
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
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