画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000SI2325DS-T1-E3
MOSFET with Drain-Source Voltage of 150-V
ブランド: Vishay Siliconix
製造元部品 #: SI2325DS-T1-E3
データシート: SI2325DS-T1-E3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
SI2325DS-T1-E3 概要
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
特徴
応用
- Industrial
- Power Management
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 530mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET chip designed for use in power management and switching applications. It features a low on-resistance and a compact footprint, making it ideal for space-constrained designs that require efficient power control. This chip is commonly used in portable electronics, battery charging circuits, and motor control systems.
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Equivalent
The equivalent products of SI2325DS-T1-E3 chip are SI2301DS-T1-E3, SI2302DS-T1-E3, and SI2303DS-T1-E3. These are all N-channel MOSFET chips with similar specifications and characteristics to the SI2325DS-T1-E3 chip. -
Features
The SI2325DS-T1-E3 is a N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 20V, continuous drain current of 2.1A, and low on-resistance. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for portable electronic devices and power management applications. -
Pinout
The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 is the gate of the first MOSFET, pin 2 is the source of the first MOSFET, pin 3 is the drain of the first MOSFET, pin 4 is the gate of the second MOSFET, pin 5 is the source of the second MOSFET, and pin 6 is the drain of the second MOSFET. -
Manufacturer
Vishay Intertechnology is the manufacturer of the SI2325DS-T1-E3. It is a global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components for a wide range of markets, including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. Vishay is known for their high-quality products and innovative solutions in the electronics industry. -
Application Field
The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET commonly used in power management applications such as voltage regulation, DC-DC converters, and motor control circuits. It is also used in battery management systems, LED lighting, and switching power supplies due to its high efficiency and low on-resistance characteristics. -
Package
The SI2325DS-T1-E3 chip is a SOT-23 package type, surface mount form, and has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
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