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SI2323DDS-T1-GE3

Name: SI2323DDS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Surface Mount Power MOSFET SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY P Channel 20V 5.3A 0.032 ohm SOT-23

ブランド: Vishay Siliconix

製造元部品 #: SI2323DDS-T1-GE3

データシート: SI2323DDS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,206 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2323DDS-T1-GE3 概要

The SI2323DDS-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor with a 5.3A I(D) and 20V capacity. This P-channel silicon metal-oxide semiconductor FET is designed for reliability and performance, with a TO-236AB package and 3-pin configuration. Additionally, it is halogen-free and RoHS compliant, making it an environmentally friendly choice for your electronic circuit needs

特徴

None

応用

["Load Switch ", "PA Switch ", "DC/DC Converters ", "Power Management G"]

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Series	TrenchFET®	Product Status	Active
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±8V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1160 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	SOT-23
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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