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SI2301DS-T1

Name: SI2301DS-T1
Brand: VISHAY SILICONIX
Rating: 4.8 (10 reviews)

MOSFET capable of handling 20 Volts, with a current rating of 2.3 Amps and a power dissipation of 1.25 Watts

ブランド: VISHAY SILICONIX

製造元部品 #: SI2301DS-T1

データシート: SI2301DS-T1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,476 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2301DS-T1 概要

The SI2301DS-T1 is a versatile P-channel MOSFET that excels in low voltage applications. With its impressive -20 volt drain-source voltage rating and continuous -2.6 ampere drain current, this MOSFET is a reliable choice for efficient power management. Its low on-resistance of 0.09 ohms ensures minimal power loss, making it a cost-effective solution for a wide range of electronic designs

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Rohs Code	No	Part Life Cycle Code	Obsolete
Ihs Manufacturer	VISHAY SILICONIX	Part Package Code	SOT-23
Package Description	TO-236, 3 PIN	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Samacsys Manufacturer	Vishay	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	20 V	Drain Current-Max (ID)	2.3 A
Drain-source On Resistance-Max	0.13 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-236	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e0	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Element Material	SILICON

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SI2301DS-T1 is a power management chip commonly used in electronic devices to regulate power consumption and voltage levels. It is designed to improve efficiency and performance while minimizing heat generation. The chip is small in size and can be integrated into various electronic circuits to support stable power supply.
Equivalent

Some equivalent products to the SI2301DS-T1 chip include SI2301BDS-T1-GE3, AO3401A, and SI2301B-DS-T1-E3. These chips are all P-channel MOSFET transistors with similar specifications and characteristics.
Features

- N-channel MOSFET - Drain-Source Voltage: 20V - Continuous Drain Current: 2.4A - Low on-resistance - Small form factor (SOT-23 package) - Low threshold voltage - Suitable for low-power applications - RoHS compliant
Pinout

The SI2301DS-T1 is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a SOT-23 package. It has a pin count of 3, with the pin functions as follows: Pin 1 (Source 1), Pin 2 (Gate 1), Pin 3 (Drain 1) for one FET and Pin 4 (Source 2), Pin 5 (Gate 2), Pin 6 (Drain 2) for the other FET.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2301DS-T1 is Vishay Siliconix. It is a global company that produces a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Siliconix specializes in designing and manufacturing power MOSFETs, analog switches, and integrated circuits for various industries, including automotive, telecommunications, computing, and consumer electronics.
Application Field

The SI2301DS-T1 is a small-signal MOSFET transistor used primarily for voltage regulation, signal amplification, and switching applications in low-voltage circuits, such as portable electronic devices, power management systems, and sensor interfaces. Its compact size makes it suitable for space-constrained designs where efficiency and performance are essential.
Package

The SI2301DS-T1 chip is offered in a SOT-23 package type. It is a N-channel MOSFET transistor that comes in a surface-mount form. The chip has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.