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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

Infineon SGW25N120

Name: SGW25N120
Rating: 4.5 (10 reviews)

IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1

ブランド: INFINEON

製造元部品 #: SGW25N120

データシート: SGW25N120 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247

RoHS ステータス:

在庫状況: 9458 個、新しいオリジナル

製品の種類: IGBT Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$15.585	$15.585
200	$6.031	$1206.200
500	$5.819	$2909.500
1000	$5.715	$5715.000

In Stock:9458 PCS

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SGW25N120 概要

Infineon offers a comprehensive IGBT portfolio for the general purpose inverters, solar inverters, UPS, induction heating, microwave oven, rice cookers, welding and SMPS segments.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
IC max	46.0 A	ICpuls max	84.0 A
VCE max	1200.0 V	Switching Frequency max	40.0 kHz
Switching Frequency min	10.0 kHz	Ptot max	313.0 W
Package	TO-247	Switching Frequency	Fast IGBT 10-40 kHz
Technology	IGBT Fast

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SGW25N120 chip is a power semiconductor device commonly used in various electronic applications. It is a silicon carbide (SiC) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) capable of handling high voltage and current. The chip offers low on-resistance, high switching speed, and high temperature capability, making it suitable for power conversion and motor control requirements.
Equivalent

The equivalent products of the SGW25N120 chip are the STW25N120K3, IRFW25N120D, HGTG25N120BN, and IHW25N120R3.
Features

The SGW25N120 is a silicon carbide (SiC) Schottky diode. Its features include a low forward voltage drop, fast switching capability, and high temperature operation. This diode also has a high surge current capability, low leakage current, and excellent thermal performance, making it suitable for various high-power applications.
Pinout

The pin count of the SGW25N120 is 3. It has 2 pins for the drain and source, and 1 pin for the gate. The drain is the output terminal, the source is the ground terminal, and the gate controls the flow of current in the device.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SGW25N120. It is a multinational semiconductor manufacturer.
Application Field

The SGW25N120 is a silicon carbide (SiC) power semiconductor designed for use in high-voltage, high-frequency applications. It can be used in various application areas, including industrial drives, renewable energy generation systems, electric vehicles, and high-efficiency power supplies.
Package

The SGW25N120 chip is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). Its package type is TO-247 (Transistor Outline 247) which is a large, through-hole package. The size dimensions of the chip are approximately 15.5mm x 20.4mm.