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$5000
Infineon SGB07N120
IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Surface Mount PG-TO263-3-2
ブランド: Infineon
製造元部品 #: SGB07N120
データシート: SGB07N120 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: D2PAK (TO-263)
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,610 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $5.592 | $5.592 |
| 200 | $2.164 | $432.800 |
| 500 | $2.087 | $1043.500 |
| 1000 | $2.050 | $2050.000 |
在庫あり: 9,610 PCS
SGB07N120 概要
Infineon's SGB07N120 IGBT is a versatile and efficient solution for a wide range of applications including general purpose inverters, solar inverters, UPS systems, induction heating, microwave ovens, rice cookers, welding equipment, and SMPS devices. With a comprehensive IGBT portfolio, Infineon ensures that customers have access to high-quality components that meet their specific needs in these diverse segments
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) | Mounting Style | SMD/SMT |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | SGB07N120 |
| Brand | Infineon Technologies | Continuous Collector Current Ic Max | 16.5 A |
| Height | 4.4 mm | Length | 10.25 mm |
| Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | IGBTs | Width | 9.9 mm |
| Part # Aliases | SP000012559 SGB07N120ATMA1 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SGB07N120 is a power semiconductor device, specifically a silicon carbide (SiC) Schottky diode, designed for high voltage and high-frequency applications. It features low reverse recovery current, fast switching speed, and high temperature operation, making it suitable for use in power supplies, motor drives, and other power electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of SGB07N120 chip are IRG4BC30KD-S, FGA25N120AN, FGB25N120AN, STGW25NC120HD, IXGH48N60C3C, and STGW40NC60HD. These are similar Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) chips that can be used as substitutes for the SGB07N120. -
Features
SGB07N120 is a 1200V, 7A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with low VCEsat (saturation voltage), fast switching speed, and high ruggedness. It also features a positive temperature coefficient for easy paralleling and over-current protection. Additionally, it has a low EMI (Electromagnetic Interference) and is suitable for various industrial applications. -
Pinout
The SGB07N120 has 3 pins and functions as a N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for high power switching applications. It is typically used in power supplies, motor control, and other industrial applications due to its low on-state voltage and high switching speed. -
Manufacturer
The SGB07N120 is manufactured by Infineon Technologies AG, a multinational semiconductor manufacturer based in Germany. Infineon Technologies is a leading supplier of power semiconductors, microcontrollers, and sensors for automotive, industrial, and consumer electronics applications. -
Application Field
The SGB07N120 is a silicon carbide power MOSFET that can be used in various high power and high voltage applications such as solar inverters, electric vehicle charging systems, industrial motor drives, and renewable energy systems. It offers high switching frequencies and low switching losses, making it suitable for efficient power conversion in these applications. -
Package
The SGB07N120 chip comes in a TO-263-2 package type, with a module form, and a size of 10.6mm x 13.6mm x 3.2mm.
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