このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

NGTB25N120FLWG

IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 192 W Through Hole TO-247-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: onsemi

製造元部品 #: NGTB25N120FLWG

データシート: NGTB25N120FLWG データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247

製品の種類: Single IGBTs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください NGTB25N120FLWG またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

NGTB25N120FLWG 概要

Designed for demanding switching applications, the NGTB25N120FLWG is a standout choice for engineers looking for a high-performance Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with superior capabilities. Its robust Trench construction and advanced features make it an ideal solution for UPS and solar applications, where efficiency and reliability are crucial. The co-packaged free-wheeling diode adds further value to this IGBT, providing fast and smooth operation with a low forward voltage. Whether used in industrial machinery or renewable energy systems, the NGTB25N120FLWG offers exceptional performance and efficiency, making it a versatile option for a variety of power management applications

特徴

  • High Efficiency and Reliability
  • Small Size with High Power Density
  • Rapid Recovery Time and Low Loss
  • Low EMI and RFI Interference
  • Safe Operating Area up to 150°C
  • High Surge Current Capability

応用

  • Hybrid Power Systems
  • Energy Efficiency
  • Microgrid Control

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: onsemi Product Category: IGBT Transistors
RoHS: Details Technology: Si
Package / Case: TO-247 Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A Pd - Power Dissipation: 192 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: NGTB25N120FL Packaging: Tube
Brand: onsemi Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Product Type: IGBT Transistors Factory Pack Quantity: 30
Subcategory: IGBTs

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The NGTB25N120FLWG is a high voltage, high power IGBT chip designed for applications requiring efficient switching and high reliability. It features a low conduction loss and fast switching speed, making it suitable for use in power electronics, motor control, and renewable energy systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of NGTB25N120FLWG chip are the IRGPC50U, FGL40N120AND, and CMS20N120. These chips are all Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    - 1200V IGBT module - Low conduction and switching losses - High current capability - High surge current capability - Low tail current for better efficiency - Isolation voltage of 2500V AC - NPT (Non Punch Through) IGBT technology with field stop diode
  • Pinout

    NGTB25N120FLWG is a high voltage IGBT module with a pin count of 7. It is commonly used in power electronics applications for switching and controlling high voltage and high current levels. The pins are used for gate control, collector and emitter connections, and thermal monitoring.
  • Manufacturer

    The manufacturer of NGTB25N120FLWG is ON Semiconductor. It is a global supplier of power management and semiconductor solutions for a wide range of industries including automotive, communication, computing, consumer, industrial, and aerospace. ON Semiconductor offers a comprehensive portfolio of energy efficient products to help design engineers solve their unique design challenges.
  • Application Field

    NGTB25N120FLWG is mainly used in applications such as solar inverters, welding machines, UPS systems, and motor drives. It is also suitable for industrial power supplies, induction heating, and power factor correction systems. The module's high reliability and efficiency make it ideal for various power electronics applications.
  • Package

    The NGTB25N120FLWG chip is a IGBT module with a TO-247 package, flange form, and a size of 3.8 x 1.61 x 1.17 inches (96.5 x 40.9 x 29.8 mm).

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...