注文金額が
$5000NGTB50N60FLWG
NGTB50N60FLWG product description: N-channel IGBT chip capable of handling up to 600V and 100A
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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ブランド: Onsemi
製造元部品 #: NGTB50N60FLWG
データシート: NGTB50N60FLWG データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-247
製品の種類: Single IGBTs
NGTB50N60FLWG 概要
Infineon Technologies AG's NGTB50N60FLWG power MOSFET is a versatile component designed for high-power switching applications. With a voltage rating of 600 volts and a maximum continuous drain current of 50 amperes, it is well-equipped to handle the power requirements of industrial and automotive systems. Its TO-247 package type ensures efficient heat dissipation, while its low on-state voltage drop, fast switching speed, and high ruggedness make it suitable for motor control, power supplies, inverters, and induction heating applications. This MOSFET's advanced features and reliable performance make it an ideal choice for applications that demand efficient power management and high reliability
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特徴
- Soft Commutation Mode
- High Voltage Tolerant
- Excellent Thermal Characteristics
応用
- Backup Power Systems
- Sustainable Energy Solutions
- Renewable Energy Products
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-247 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.65 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 100 A |
Pd - Power Dissipation | 223 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | NGTB50N60FLWG |
Brand | onsemi | Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | IGBTs |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The NGTB50N60FLWG chip is a power semiconductor device that is used in various electronic applications. It has a high voltage rating of 600V and a maximum current of 50A. The chip is designed for efficient power conversion and offers low on-resistance, high switching speeds, and high thermal conductivity. It is commonly used in power supplies, motor drives, and inverters for renewable energy systems.
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Features
The NGTB50N60FLWG is a power MOSFET with a voltage rating of 600V, designed for high-performance applications. It offers low on-resistance, high switching speeds, and improved efficiency. This MOSFET also comes with a TO-247 package for better thermal dissipation and is suitable for use in power supplies, motor drives, and other high-voltage applications. -
Pinout
The NGTB50N60FLWG is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. Its pin count is 3, consisting of the gate (G), drain (D), and source (S) terminals. This transistor is designed for power electronics applications and provides a high voltage rating of 600V and a maximum current rating of 50A. -
Manufacturer
The manufacturer of the NGTB50N60FLWG is Infineon Technologies. It is a multinational semiconductor company that produces power semiconductor devices, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The NGTB50N60FLWG is a high-voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for applications in power electronics. It can be used in various systems such as motor drives, renewable energy converters, uninterruptible power supplies, and power factor correction. Its high voltage and current capabilities make it suitable for high-power and high-efficiency applications. -
Package
The NGTB50N60FLWG chip comes in a module package type known as Module, NPT Trench IGBT. It has a form factor known as TO-3P and a small size with dimensions of approximately 15.72mm x 22.1mm x 5.51mm.
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