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NGTB50N120FL2WG

Name: NGTB50N120FL2WG
Rating: 4.5 (10 reviews)

IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 535 W Through Hole TO-247

ブランド: onsemi

製造元部品 #: NGTB50N120FL2WG

データシート: NGTB50N120FL2WG データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247

製品の種類: Single IGBTs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NGTB50N120FL2WG 概要

For demanding switching applications, look no further than the NGTB50N120FL2WG Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). Its robust Field Stop II Trench construction ensures both durability and cost-effectiveness, while its superior performance offers low on-state voltage and minimal switching loss. This makes the IGBT well-suited for UPS and solar applications. Plus, the device features a co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage, ensuring soft and fast operation

特徴

High-Power Diode Module Solution
Safe Operating Temperature up to 150°C
Fast Soft Recovery Diode
Optimized for High-Speed Power Supplies
Rapid Reverse Recovery Time
Suitable for Industrial Motor Control

応用

Energy Management Systems
Power Distribution Units
Remote Monitoring Devices

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	IGBT Transistors
RoHS:	Details	Technology:	Si
Package / Case:	TO-247	Mounting Style:	Through Hole
Configuration:	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.2 V	Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C:	100 A	Pd - Power Dissipation:	535 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	NGTB50N120FL2	Packaging:	Tube
Brand:	onsemi	Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA
Product Type:	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity:	30
Subcategory:	IGBTs

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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支払条件		ハンドフィー
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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The NGTB50N120FL2WG is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for use in high voltage and high current applications. It offers low switching losses and high thermal stability, making it ideal for power electronics systems.
Equivalent

Some equivalent products of NGTB50N120FL2WG chip are Fairchild Semiconductor FGA50N120ANTDTU, Infineon Technologies FF450R12ME4, and ON Semiconductor NGTB50N120L3WG.
Features

The NGTB50N120FL2WG is a high-power IGBT module with features such as a high current rating of 50A, a low voltage drop of 2.1V, a fast switching speed, and temperature monitoring capabilities. It also has a compact and rugged design for reliable performance in industrial applications.
Pinout

The NGTB50N120FL2WG is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-247 package. It has a collector current of 50A and a collector-emitter voltage of 1200V. Pin 1 is the gate, pin 2 is the collector, and pin 3 is the emitter.
Manufacturer

The manufacturer of the NGTB50N120FL2WG is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of power management solutions, offering a comprehensive portfolio of energy-efficient products. They are known for their high-performance semiconductor components used in various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The NGTB50N120FL2WG is commonly used in applications such as power supplies, motor drives, UPS systems, induction heating, and welding equipment. It is also suitable for use in renewable energy systems, electric vehicles, and other high-power electronic devices where efficient and reliable switching is required.
Package

The NGTB50N120FL2WG chip is housed in a TO-247 package, featuring a standard form factor. It measures 24.5mm x 10.8mm in size, providing a compact yet robust packaging solution for power electronics applications.