このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

Infineon IPD25N06S4L-30 48HRS

DPAK Packaged N-Channel MOSFET with 2+Tab Configuration

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon

製造元部品 #: IPD25N06S4L-30

データシート: IPD25N06S4L-30 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: DPAK (PG-TO252-3)

RoHS ステータス:

在庫状況: 3502 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
1 $1.048 $1.048
10 $0.899 $8.990
30 $0.818 $24.540
100 $0.724 $72.400
500 $0.685 $342.500
1000 $0.666 $666.000

In Stock:3502 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください IPD25N06S4L-30 またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

IPD25N06S4L-30 概要

The IPD25N06S4L-30 is a Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high power applications. It has a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current of 25A. The device has a low on-state resistance of 0.025 ohms, which helps to minimize power dissipation and increase efficiency in power electronics applications.The IPD25N06S4L-30 is built using a TrenchFET Gen IV technology, which offers improved performance in terms of efficiency, reliability, and thermal management. It also features a low gate charge, which allows for fast switching and reduced power losses.This MOSFET is housed in a TO-252 package, which provides excellent thermal conductivity and easy mounting on a printed circuit board. It is designed to operate in a wide temperature range from -55°C to 175°C, making it suitable for a variety of industrial and automotive applications.

ipd25n06s4l30

特徴

  • 25A, 60V Power MOSFET
  • Low on-resistance
  • Thermal resistance of 30°C/W
  • High-speed switching
  • Low gate charge
  • Avalanche energy rated
  • Robust and reliable design
  • TO-252 package
  • Designed for high power applications
  • Suitable for use in motor control, power supplies, and inverters
ipd25n06s4l30

応用

  • Electric vehicles
  • Solar power systems
  • Uninterruptible power supplies
  • Industrial motor drives
  • Power tools
  • Telecommunication equipment
ipd25n06s4l30

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
IDpuls max 92.0 A RthJC max 5.1 K/W
Ptot max 29.0 W Qualification Automotive
Package DPAK (PG-TO252-3) VDS max 60.0 V
RDS (on) max 30.0 mΩ VGS(th) max 2.0 V
QG max 12.5 nC Polarity N
ID max 25.0 A Technology OptiMOS™-T2
VGS(th) min 1.2 V Operating Temperature max 175.0 °C
Operating Temperature min -55.0 °C

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The IPD25N06S4L-30 chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in electronic devices. It features a low on-resistance and high power handling capability, making it suitable for applications that require high efficiency and reliability. The chip operates at a voltage of 30 volts and can handle a current of up to 25 amperes, making it ideal for power management purposes.
  • Equivalent

    There are numerous equivalent products to the IPD25N06S4L-30 chip, including IRF540N, IRF540NPBF, IRF540NL, IRF540NLPBF, and IPD90N03S4L-05.
  • Features

    The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET with a maximum drain current of 25A, a drain-source voltage rating of 60V, and a low on-resistance of 0.026 ohms. It offers fast switching speed, low gate charge, and is suitable for various types of power applications requiring high performance and reliability.
  • Pinout

    The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET with a pin count of 3. It functions as a switch or amplifier in electronic circuits, enabling power control.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPD25N06S4L-30. It is a multinational semiconductor company based in Germany.
  • Application Field

    The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET that can be used in various applications, including motor control, power supplies, and lighting applications. Its high voltage and current ratings make it suitable for industrial and automotive applications. It offers low on-resistance and excellent switching performance, making it an ideal choice for high-power applications.
  • Package

    The IPD25N06S4L-30 chip comes in a D2PAK package.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...