このウェブサイトは Cookie を使用しています。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。詳細については、こちらをご覧くださいプライバシーポリシー.

画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

注文金額が

$5000

得る $50 割引!

RU1J002YNTCL

Name: RU1J002YNTCL
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F

ブランド: Rohm Semiconductor

製造元部品 #: RU1J002YNTCL

データシート: RU1J002YNTCL データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SC-85

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,421 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください RU1J002YNTCL またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

数量^*

メール^*

連絡先名^*

会社

述べる

RU1J002YNTCL 概要

N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0.9V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 200mA, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 1mA
Vgs (Max)	±8V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	26 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	150mW (Ta)	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	UMT3F
Package / Case	SC-85

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The RU1J002YNTCL chip is a low-power, RF front-end module designed for use in wireless communication applications. It combines a power amplifier, low-noise amplifier, and RF switch into a single compact package, providing improved performance and efficiency in a small footprint. The chip is ideal for use in IoT devices, smart meters, and other low-power wireless applications.
Equivalent

The equivalent products of the RU1J002YNTCL chip are: STMicroelectronics ST25RU3993, NXP Semiconductors SL3S1203, and Alien Technology ALN-9768-WHAT-ET.
Features

The RU1J002YNTCL is a high-power RF transistor designed for commercial and military applications. It offers excellent power gain, efficiency, and high operating frequency up to 1 GHz. It provides high reliability and ruggedness in a compact package, making it ideal for use in demanding environments.
Pinout

RU1J002YNTCL is a quad-channel ESD protection diode with a pin count of 12. It is designed to protect sensitive electronics from electrostatic discharge (ESD) and surge events. Each channel consists of two diodes to protect both signal lines and power supplies.
Manufacturer

RU1J002YNTCL is manufactured by Murata Manufacturing Co., Ltd. which is a Japanese multinational electronics company that specializes in the design, manufacture, and sale of electronic components and solutions. They offer a wide variety of products including capacitors, inductors, filters, sensors, and more for a range of industries such as automotive, healthcare, and telecommunications.
Application Field

Some potential application areas for RU1J002YNTCL include industrial automation, robotics, and motor control. This high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) module is designed for high-performance and efficiency in controlling electric motors and other high-power electronics in various industrial settings.
Package

The RU1J002YNTCL chip is a power amplifier module with a package type of MCM, form of SMD, and size of 5.0 x 5.0 mm.