注文金額が
$5000BSS308PE H6327
SOT-23-3 P-Channel MOSFET rated for -30V and -2A
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: Infineon
製造元部品 #: BSS308PE H6327
データシート: BSS308PE H6327 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
BSS308PE H6327 概要
The BSS308PE H6327 is a P-Channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by Infineon Technologies. It is designed for high-speed switching applications in power management circuits.The BSS308PE H6327 has a drain-source voltage (VDS) rating of -60 volts and a continuous drain current (ID) of -1.3 amperes. It has a low on-resistance (RDS(on)) of 2.1 ohms, allowing for efficient power handling and minimal power loss.This FET is housed in a SOT23 package, which is a small surface-mount package that is commonly used for space-constrained applications. The SOT23 package also provides good thermal performance, helping to dissipate heat generated during operation.The BSS308PE H6327 is RoHS compliant, meaning it meets environmentally friendly standards by restricting the use of hazardous materials. It is ideal for use in battery management, power distribution, and load switching applications.In summary, the BSS308PE H6327 is a high-performance P-Channel FET with a low on-resistance and high-speed switching capabilities. Its compact SOT23 package and RoHS compliance make it a versatile and reliable choice for power management applications
特徴
- Improved thermal management
- Reduced electromagnetic interference
- Enhanced reliability and durability
応用
- Smart sensor technology
- Integrated power solutions
- State-of-the-art power management
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 62 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
Qg - Gate Charge | 5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 500 mW |
Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
Series | BSS308 | Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Single | Fall Time | 2.8 ns |
Forward Transconductance - Min | 4.6 S | Height | 1.1 mm |
Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 7.7 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 15.3 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5.6 ns |
Width | 1.3 mm | Part # Aliases | BSS38PEH6327XT SP000928942 BSS308PEH6327XTSA1 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
---|---|---|
![]() |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
![]() |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
![]() |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
![]() |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
![]() |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
ステップ1 :製品
-
ステップ2 :真空包装
-
ステップ3 :静電気防止袋
-
ステップ4 :個包装
-
ステップ5 :梱包箱
-
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
最小注文数量は1個からとなります。
-
最低国際配送料は0.00ドルから
-
全商品365日品質保証