このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

BSS138-7-F 48HRS

The BSS138-7-F is a N Channel MOSFET capable of a Continuous Drain Current of 200mA and a Source Voltage rating of 50V

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Diodes Incorporated

製造元部品 #: BSS138-7-F

データシート: BSS138-7-F データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
20 $0.019 $0.380
200 $0.017 $3.400
600 $0.015 $9.000
3000 $0.014 $42.000
9000 $0.013 $117.000
21000 $0.013 $273.000

在庫あり: 9,458 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください BSS138-7-F またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

BSS138-7-F 概要

With a compact and efficient design, the BSS138-7-F MOSFET offers high performance in a small footprint, making it ideal for space-constrained applications. Its low on resistance and high current rating make it a reliable choice for switching and amplification circuits. The automotive-grade qualification ensures that the transistor meets stringent industry standards for reliability and durability in automotive electronics

特徴

  • Surface mount package design
  • Low noise and radiation
  • Small thermal resistance
  • Robust construction guaranteed

応用

  • Temperature sensing
  • Precision voltage reference
  • Low power consumption

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Id - Continuous Drain Current 200 mA Rds On - Drain-Source Resistance 3.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 500 mV
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 300 mW Channel Mode Enhancement
Series BSS138 Brand Diodes Incorporated
Configuration Single Forward Transconductance - Min 100 mS
Height 1 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 20 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns Width 1.3 mm
Unit Weight 0.000282 oz

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The BSS138-7-F is a small signal N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by ON Semiconductor. It is commonly used for switching and amplification in low voltage applications, such as in mobile devices, power management circuits, and LED drivers. With a low threshold voltage and high input impedance, the BSS138-7-F offers high performance in a compact package.
  • Equivalent

    Some equivalent products of BSS138-7-F chip are 2N7002, DMN2W002, and DMN2022UFB4. These are all N-channel enhancement mode field-effect transistors (FETs) with similar electrical characteristics and applications.
  • Features

    1. N-channel MOSFET transistor 2. SOT-23 surface mount package 3. Voltage rating of 50V 4. Continuous drain current of 240 mA 5. Low on-resistance of 2.5 ohms 6. Fast switching speeds for efficient operation in small signal applications.
  • Pinout

    BSS138-7-F is a N-channel MOSFET with a pin count of 3. The function of this MOSFET is to control the flow of current between the drain and source pins when a voltage is applied to the gate pin. It is commonly used in low-voltage switching applications.
  • Manufacturer

    BSS138-7-F is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of semiconductor-based solutions for a variety of industries including automotive, communications, consumer, and industrial. The company specializes in producing power and signal management, logic, discrete, and custom devices to help customers design innovative electronic products.
  • Application Field

    BSS138-7-F is commonly used in applications such as switching circuits, low-power amplification, and signal processing. It is suitable for use in portable electronics, consumer devices, and automotive applications due to its low threshold voltage, high input impedance, and low ON-state resistance.
  • Package

    The BSS138-7-F chip is in a SOT-23 package type, surface mount form, and has a size dimension of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...