このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

BSS123LT1G 48HRS

N-Type Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor rated for 100V and 170mA

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: BSS123LT1G

データシート: BSS123LT1G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,819 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
5 $0.085 $0.425
50 $0.070 $3.500
150 $0.062 $9.300
500 $0.055 $27.500
3000 $0.046 $138.000
6000 $0.044 $264.000

在庫あり: 9,819 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください BSS123LT1G またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

BSS123LT1G 概要

The BSS123LT1G MOSFET is a small signal transistor designed for use in electronic circuits requiring low power consumption and high efficiency. With a drain source voltage of 100V and a continuous drain current of 170mA, this N-channel transistor delivers reliable performance in a compact SOT-23 package. Its low on resistance of 6ohm and threshold voltage of 800mV make it ideal for use in applications where space is limited and energy efficiency is essential. Whether used in switching power supplies, voltage regulators, or motor control circuits, the BSS123LT1G MOSFET offers dependable operation and consistent performance

特徴

  • Precise Quality Control Measures
  • Made with Recyclable Materials Only
  • Compliant with REACH Regulations

応用

  • Essential for any project
  • Trustworthy and efficient
  • Works well in all situations

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Status Active Compliance PbAHP
Package Type SOT-23-3 Case Outline 318-08
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 3000
ON Target N Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 100
VGS Max (V) 20 VGS(th) Max (V) 2.8
ID Max (A) 0.17 PD Max (W) 0.225
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 6000 Ciss Typ (pF) 20
Pricing ($/Unit) $0.0357Sample

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The BSS123LT1G is a small-signal MOSFET transistor chip. It is designed for low voltage applications and can be used as a switch or amplifier in various electronic circuits. It features low on-state resistance, low threshold voltage, and fast switching speed. The chip's compact size and excellent performance make it suitable for use in portable devices, battery-powered equipment, and other low voltage applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the BSS123LT1G chip include BSS123L, BSS123W, BSS123WT1G, and BSS123W-7-F. These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and characteristics to the BSS123LT1G chip.
  • Features

    The BSS123LT1G is a small signal MOSFET transistor. It has a low voltage and low on-resistance, making it suitable for low-power applications. It also has a small package size, allowing for space-saving designs.
  • Pinout

    The BSS123LT1G is a MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the current flow between the Drain and Source pins. It is commonly used for switching applications in low-voltage circuits.
  • Manufacturer

    The BSS123LT1G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that designs and produces a wide range of semiconductor components, including integrated circuits, diodes, transistors, and more. They primarily serve the automotive, industrial, consumer electronics, and communication sectors.
  • Application Field

    The BSS123LT1G is a small signal MOSFET transistor that can be used in a variety of applications, including switching circuits, low power amplifiers, and voltage-controlled oscillators. Its compact size and low power consumption make it ideal for portable electronics, automotive systems, and other low-voltage applications.
  • Package

    The BSS123LT1G chip has a Surface Mount Technology (SMT) package type, specifically a Thin Small Outline Package (TSOP-3) form. As for its size, it measures approximately 2.8mm x 1.8mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...