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BSM100GB120DN2K

Name: BSM100GB120DN2K
Rating: 4.5 (10 reviews)

Advanced power control: BSM100GB120DN2K is designed for demanding applications with its 12kV rating and 100A current capacity

ブランド: Infineon

製造元部品 #: BSM100GB120DN2K

データシート: BSM100GB120DN2K データシート (PDF)

パッケージ/ケース: Half Bridge1

RoHS ステータス:

在庫状況: 5,569 個、新しいオリジナル

製品の種類: IGBT Modules

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$245.935	$245.935
200	$95.174	$19034.800
500	$91.830	$45915.000
1000	$90.176	$90176.000

在庫あり: 5,569 PCS

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BSM100GB120DN2K 概要

Infineon Technologies' BSM100GB120DN2K power module is an essential component for industrial applications requiring high power capabilities. Featuring a 1200V, 100A dual-channel IGBT module with an integrated driver stage, this module is designed to offer a compact and efficient solution. Its compact and robust design, along with low thermal resistance, ensures improved heat dissipation, while its advanced power semiconductor technology allows for high switching frequencies and low losses, resulting in high efficiency and reliability. The module also offers a variety of protection features, including short circuit and over-temperature protection, as well as a built-in temperature sensor for efficient thermal management

特徴

Advanced Gate Driver Technology
EMI Filter Design for Low Noise
Suitable for Railway and Marine Use

応用

Renewable energy systems
Electric vehicles
Industrial motor drives
Pulse power applications
UPS and energy storage systems
Power supplies
Welding equipment
Induction heating systems
Medical equipment
Grid-tied inverters

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	IGBT Modules	RoHS	N
Product	IGBT Silicon Modules	Configuration	Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C	145 A	Gate-Emitter Leakage Current	400 nA
Pd - Power Dissipation	700 W	Package / Case	Half Bridge1
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Brand	Infineon Technologies	Height	30.5 mm
Length	94 mm	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	Chassis Mount	Product Type	IGBT Modules
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Technology	Si	Width	34 mm
Part # Aliases	SP000101733 BSM100GB120DN2KHOSA1

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The BSM100GB120DN2K is a power module designed for high-power industrial applications. It features a high current rating of 100A and a voltage rating of 1200V, making it suitable for driving large motors and machinery. The module has built-in protection features for overcurrent and overvoltage conditions, ensuring safe and reliable operation.
Equivalent

The equivalent products of the BSM100GB120DN2K chip are Infineon FF100R12KS4, Semikron SKM100GB123D, and IXYS IXFN100N65. These chips are also high-power IGBT modules with similar specifications and features, making them suitable replacements for the BSM100GB120DN2K.
Features

1. BSM100GB120DN2K is an IGBT power module. 2. It has a collector-emitter voltage of 1200V. 3. It has a current rating of 100A. 4. Includes a temperature monitoring sensor. 5. Features high reliability and efficiency for power electronics applications.
Pinout

The BSM100GB120DN2K is an IGBT module with a pin count of 7. It is used in power electronic applications for motor control and power supplies. The functions of the pins are gate emitter, collector emitter, gate source, collector emitter, emitter, collector emitter, and collector emitter.
Manufacturer

Infineon Technologies is the manufacturer of the BSM100GB120DN2K. It is a leading German semiconductor company specializing in manufacturing power semiconductors and other electronic components for automotive, industrial, and renewable energy applications.
Application Field

The BSM100GB120DN2K is commonly used in applications such as motor drives, renewable energy systems, industrial automation, and power supplies. Its high efficiency, high current capability, and robust design make it ideal for high-power applications where reliability and performance are crucial.
Package

The BSM100GB120DN2K chip is a module package type with a standard form factor of module. It has a size of approximately 180mm x 140mm x 40mm, and a weight of 2.5 lbs (1.13 kg).