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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

Infineon BSC190N15NS3GATMA1

Name: BSC190N15NS3GATMA1
Rating: 4.5 (6 reviews)

Single N-Channel 150 V 19 mOhm 23 nC OptiMOS Power Mosfet TDSON-8

ブランド: Infineon

製造元部品 #: BSC190N15NS3GATMA1

データシート: BSC190N15NS3GATMA1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: PG-TDSON-8

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3206 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC190N15NS3GATMA1 概要

BSC190N15NS3GATMA1 is a Silicon Carbide Schottky Diode offering high switching speed and low forward voltage drop characteristics. It operates at a voltage rating of 1500V and has a continuous forward current rating of 19A. This diode is packaged in a TO-247-3 package, which allows for easy mounting and efficient heat dissipation.The BSC190N15NS3GATMA1 diode is designed for use in high-power applications such as power supplies, solar inverters, and motor drives where high efficiency and reliability are crucial. It exhibits excellent temperature stability and low reverse recovery current, making it ideal for high-frequency applications.With its low leakage current and high surge capability, the BSC190N15NS3GATMA1 diode is suited for demanding environments where robust performance is needed. Its Schottky barrier design also ensures minimal switching losses and high efficiency, making it a popular choice for applications requiring high power density.

特徴

IGBT transistor module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500V
Current - Collector (Ic) (Max): 190A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 190A
Power - Max: 1160W
Mounting Type: Chassis Mount

応用

Electric vehicle powertrain
Solar energy inverters
Industrial motor drives
Wind power systems
Uninterruptible power supplies
Switched-mode power supplies
Electric vehicle charging systems
Energy storage systems
High-power DC-DC converters
Renewable energy systems

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	MS, RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing	SuperSO8 5x6	msl	1
halogenFree	yes	customerInfo	STANDARD
fgr	I54	productClassification	COM
productStatusInfo	active	hfgr	A
packageName	PG-TDSON-8	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP000416636
fourBlockPackageName	PG-TDSON-8-1	rohsCompliant	yes
opn	BSC190N15NS3GATMA1	completelyPbFree	no
sapMatnrSali	SP000416636

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The BSC190N15NS3GATMA1 is a power MOSFET transistor chip designed for high-power applications in automotive and industrial settings. It features a low on-resistance and high current-carrying capability, making it suitable for various power switching and control purposes. This chip offers reliable performance and efficient power handling in demanding environments.
Equivalent

The equivalent products of the BSC190N15NS3GATMA1 chip are IRFP064NPBF, STP26NM60N, IXFN34N60, and IPP60R130CFD. These chips are also power MOSFET transistors that can be used as alternatives to the BSC190N15NS3GATMA1 in various applications.
Features

BSC190N15NS3GATMA1 is a 1500V SiC diode with low leakage current, low forward voltage, and fast switching speed. It has a high surge current capability and excellent thermal performance. The device is suitable for use in high temperature and high power applications such as power supplies, solar inverters, and electric vehicles.
Pinout

The BSC190N15NS3GATMA1 is a MOSFET with a TO-263-3 package. It has a pin count of 3, with one pin for the source (S), one pin for the gate (G), and one pin for the drain (D). The function of this MOSFET is to control the flow of current between the drain and source terminals.
Manufacturer

The BSC190N15NS3GATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and sensor solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications. They are known for their innovative products and technologies in areas such as power management, automotive electronics, and renewable energy.
Application Field

The BSC190N15NS3GATMA1 is a power MOSFET transistor suitable for use in applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its high current handling capabilities and low on-resistance make it ideal for applications requiring high efficiency and power.
Package

The BSC190N15NS3GATMA1 is a Power-SO8 package with a size of 5mm x 6mm. It is a single N-channel MOSFET chip with a voltage rating of 150V and a current rating of 190A.