このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

Infineon BSC014N04LSATMA1

OptiMOS N-channel MOSFET with 40V and 100A rating in TDSON-8 package

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon

製造元部品 #: BSC014N04LSATMA1

データシート: BSC014N04LSATMA1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: PG-TDSON-8

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3251 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

ボムに追加

簡単な見積もり

RFQを提出してください BSC014N04LSATMA1 またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

BSC014N04LSATMA1 概要

The BSC014N04LSATMA1 is a N-channel 40V Power MOSFET produced by Infineon Technologies. It is designed for use in a wide range of applications, including DC-DC converters, motor control, and power management systems. This MOSFET has a low on-state resistance of 1.4mΩ, allowing for efficient power conversion with minimal power loss. It has a continuous drain current rating of 100A, making it suitable for high-power applications. The BSC014N04LSATMA1 is housed in a TO-263 package, which provides thermal benefits for improved performance and reliability. It can operate in temperatures ranging from -55°C to 175°C, ensuring it can withstand harsh environmental conditions. Furthermore, this MOSFET is RoHS compliant, making it environmentally friendly and safe for use in various electronic devices. Its compact size and high power-handling capabilities make it an ideal choice for space-constrained applications where high performance is required. In conclusion, the BSC014N04LSATMA1 is a versatile and reliable power MOSFET suitable for a wide range of applications, offering high efficiency, low power loss, and excellent thermal performance. Its robust design and high current rating make it a popular choice among designers looking for a high-performance solution for their power management needs

bsc014n04lsatma1

特徴

  • N-channel MOSFET
  • 40V drain-source voltage
  • 12A continuous drain current
  • 8.1 mohm RDS(on) resistance
  • Logic level compatible
  • Optimized for synchronous rectification
  • Low conduction and switching losses
  • High efficiency in power conversion applications
  • Enhanced thermal performance

応用

  • Power management systems
  • Automotive applications
  • Industrial applications
  • Renewable energy systems
  • Motor control
  • Robotics
  • LED lighting systems
  • Battery management systems
  • Consumer electronics
  • Medical devices

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo MS, RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr R10 productClassification COM
productStatusInfo active and preferred hfgr A
packageName PG-TDSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP000871196
fourBlockPackageName PG-TDSON-8-7 rohsCompliant yes
opn BSC014N04LSATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP000871196

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The BSC014N04LSATMA1 chip is a power MOSFET transistor manufactured by Infineon Technologies. It is designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and other electronic devices. It features a low on-state resistance, high current capability, and excellent thermal performance. The chip is suitable for a wide range of industrial and automotive applications that require efficient and reliable power management.
  • Equivalent

    Some equivalent products of BSC014N04LSATMA1 chip may include BSS138, BSS84, and BSS294.
  • Features

    The BSC014N04LSATMA1 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage rating of 40V, a continuous drain current of 100A, and a low on-resistance of 1.4 mΩ. It offers efficient power conversion, high current handling capability, and low power losses.
  • Pinout

    The BSC014N04LSATMA1 is a power MOSFET with 8 pins. It is used for power switching applications, offering a low on-resistance and high current rating. The specific pin-out and functions can be found in the datasheet of the component.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BSC014N04LSATMA1 is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that specializes in manufacturing power semiconductors, microcontrollers, and sensors.
  • Application Field

    The BSC014N04LSATMA1 is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as power conversion systems, motor drives, and industrial control systems. It is designed to handle high voltage and current levels, making it suitable for demanding applications where efficient power management is required.
  • Package

    The BSC014N04LSATMA1 chip comes in a D²PAK (TO-263) package with a form factor of Surface Mount Device (SMD). The package size is typically around 10.4mm x 15.6mm x 4.5mm.

データシート PDF

暫定仕様書 BSC014N04LSATMA1 PDF ダウンロード

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...