画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
Infineon BSB013NE2LXI
25V 163A MOSFET N-channel OptiMOS
ブランド: Infineon
製造元部品 #: BSB013NE2LXI
データシート: BSB013NE2LXI データシート (PDF)
パッケージ/ケース: DirectFET(M)
RoHS ステータス:
在庫状況: 3860 個、新しいオリジナル
製品の種類: トランジスタ
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $1.958 | $1.958 |
| 200 | $0.758 | $151.600 |
| 500 | $0.731 | $365.500 |
| 1000 | $0.719 | $719.000 |
In Stock:3860 PCS
BSB013NE2LXI 概要
N-Channel 25 V 36A (Ta), 163A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
特徴
- High-speed switching
- Low forward voltage
- Low reverse leakage current
- Low thermal resistance
- Hermetic packaging
- 900V maximum repetitive reverse voltage
応用
- Automotive industry for electric vehicle power systems
- Industrial automation for motor control applications
- Solar power systems for energy conversion
- Renewable energy systems for inverters
- HVAC systems for fan and pump control
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 400.0 A | VGS(th) max | 2.0 V |
| VGS(th) min | 1.2 V | Ptot max | 57.0 W |
| VDS max | 25.0 V | Polarity | N |
| Operating Temperature max | 150.0 °C | Operating Temperature min | -40.0 °C |
| Mounting | SMD | RDS (on) max | 1.8 mΩ |
| Special Features | Monolithically Integrated Schottky-like Diode | Micro-stencil | IRF66MX-25 |
| Package | DirectFET(M) |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
-
![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
-
![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
-
![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
-
![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The BSB013NE2LXI chip is a high-performance system-on-a-chip (SoC) designed for use in mobile devices, IoT devices, and other connected devices. It features a multi-core processor, integrated graphics, and support for wireless connectivity standards like Wi-Fi and Bluetooth. This chip offers a balance of power efficiency and processing performance for a variety of applications.
-
Equivalent
The equivalent products of BSB013NE2LXI chip are Texas Instruments BQ51013BYFPR, Analog Devices ADP165SETZ-RL7, and Linear Technology LTC3588IUFD#PBF. These chips are considered as functional alternatives with similar features and specifications for power management applications. -
Features
BSB013NE2LXI is a 6.9-inch TFT display with a resolution of 720 x 1640 pixels, a 13MP main camera, 4000mAh battery, 3GB RAM, and 32GB internal storage. It runs on Android 10 and features a MediaTek Helio A22 processor. Additionally, it has a fingerprint sensor and facial recognition for security. -
Pinout
The BSB013NE2LXI is a 6-pin Schottky Barrier Diode with a maximum forward voltage of 0.51V and a maximum reverse current of 0.5μA. Pin 1 is the cathode, Pin 2 is the anode, and Pin 3 is the backside connection for thermal management. -
Manufacturer
BSB013NE2LXI is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor company specializing in power and sensor systems. They produce a wide range of products for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. Infineon Technologies is known for their innovative solutions in power management, microcontrollers, and connectivity technologies. -
Application Field
The BSB013NE2LXI is commonly used in applications such as automotive powertrain systems, industrial motor control, and power supply units. It is also suitable for use in solar inverters, battery management systems, and uninterruptible power supplies due to its high efficiency and low on-state resistance. -
Package
The BSB013NE2LXI chip comes in a package type of D2PAK, with a form of tube packaging, and a size of 3.3mm x 10.5mm.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
![製品]( "製品")
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
![quantity]( "quantity")
最小注文数量は1個からとなります。
-
![shipping]( "shipping")
最低国際配送料は0.00ドルから
-
![保証]( "保証")
全商品365日品質保証
推薦する
-
![BSZ146N10LS5ATMA1]()
-
![BSZ096N10LS5ATMA1]()
-
![IRFB4410ZPBF]()
-
![BSC070N10NS5ATMA1]()
-
![ISC060N10NM6ATMA1]()
-
![IRFH5010TRPBF]()
Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
