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ST STH260N6F6-2

MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: STMicroelectronics, Inc

製造元部品 #: STH260N6F6-2

データシート: STH260N6F6-2 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: I2PAK

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 2,527 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STH260N6F6-2 概要

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

特徴

  • Low gate charge
  • Very low on-resistance
  • High avalanche ruggedness

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: STMicroelectronics Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: H2PAK-2
Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 75 V Id - Continuous Drain Current: 120 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.4 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 183 nC
Pd - Power Dissipation: 300 W Configuration: Single
Tradename: STripFET Packaging: Reel
Series: STH260N6F6-2 Transistor Type: 1 N-Channel
Brand: STMicroelectronics Fall Time: 62.6 ns
Product Type: MOSFET Rise Time: 165 ns
Factory Pack Quantity: 1000 Subcategory: MOSFETs
Unit Weight: 0.139332 oz Tags STH260, STH26, STH2, STH
Pin Count 4 Package Category Other
Released Date Apr 22, 2022

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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

データシート PDF

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