画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000ST STF11NM60ND
High-power transistor for demanding applications
ブランド: Stmicroelectronics
製造元部品 #: STF11NM60ND
データシート: STF11NM60ND Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: TO-220-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
STF11NM60ND 概要
With an impressive Rds(on) test voltage of 10V, this MOSFET provides reliable and stable performance in a wide range of operating conditions. It is housed in a TO 220FP package, which offers excellent thermal performance and easy mounting on a PCB. This N-channel MOSFET is suitable for use in a variety of applications, including motor control, power supplies, and lighting systems
特徴
- Microcontroller-based motor controller
- Solar power inverter technology
- Artificial intelligence processor
応用
- Power supply switching
- LED driver applications
- Industrial motor control
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 30 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | FDmesh |
| Series | STF11NM60ND | Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7.5 S | Height | 9.3 mm |
| Length | 10.4 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 7 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Width | 4.6 mm |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
同等部品
のために STF11NM60ND コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:
部品番号
ブランド
パッケージ
説明
部品番号 : IRFP460
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : FQPF11N60
ブランド :
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部品番号 : IRF840
ブランド :
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説明 :
部品番号 : STF10NK60Z
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : STP11NM60FP
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : HUF75652G3
ブランド :
パッケージ : TO-247
説明 : 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET,MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET
部品番号 : STF13NM60N
ブランド :
パッケージ : TO-220F
説明 : MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
部品番号 : 2SK3024
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : BSC047N06NS3G
ブランド :
パッケージ :
説明 :
パーツポイント
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The STF11NM60ND is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers a low on-resistance and high breakdown voltage, making it ideal for use in power supplies, motor control, and lighting applications. The chip is compact and efficient, making it a popular choice for a range of electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of STF11NM60ND chip are FDPF11N60NZ, STF13N60MD, and FFPF13N60NT. These are all power MOSFETs with similar specifications and applications, suitable for use in various electronic devices and power systems. -
Features
The STF11NM60ND is a N-channel Power MOSFET featuring low on-state resistance, high switching speed, low gate charge, and high avalanche ruggedness. It is designed for high-performance applications in power supplies, motor control, and lighting. It has a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 11A. -
Pinout
The STF11NM60ND is a MOSFET transistor with a 3-pin D2PAK package. Pin 1 is the source, Pin 2 is the gate, and Pin 3 is the drain. The function of the MOSFET is to control the flow of current between the source and drain terminals using the voltage applied to the gate terminal. -
Manufacturer
STF11NM60ND is manufactured by STMicroelectronics, a global semiconductor company that designs and produces a wide range of integrated circuits and solutions for various industries including automotive, industrial, communications, and consumer electronics. STMicroelectronics is a leading company in the semiconductor industry, known for its innovative technologies and high-quality products. -
Application Field
The STF11NM60ND is a high-voltage N-channel Power MOSFET commonly used in applications such as switch-mode power supplies, motor control, lighting ballasts, and automotive systems. It is suitable for use in voltage regulation, power distribution, and DC-DC conversion circuits due to its high efficiency, low on-resistance, and high avalanche ruggedness. -
Package
The STF11NM60ND chip comes in a TO-220 package type with a through hole mounting form, and its size is 10.3mm x 4.5mm x 17.0mm.
データシート PDF
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