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ST STW43NM60ND

Name: STW43NM60ND
Rating: 4.5 (10 reviews)

STW43NM60ND is an N-Channel power MOSFET with a 600 V rating and 88 mΩ on-resistance in a TO-247 package

ブランド: Stmicroelectronics

製造元部品 #: STW43NM60ND

データシート: STW43NM60ND Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 2,545 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$4.192	$4.192
10	$3.678	$36.780
30	$3.373	$101.190
100	$3.063	$306.300
500	$2.921	$1460.500
1000	$2.858	$2858.000

在庫あり: 2,545 PCS

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STW43NM60ND 概要

Featuring a N Channel design, the STW43NM60ND MOSFET offers a high drain source voltage of 600V and a continuous drain current of 35A, making it ideal for various power applications. The low on resistance of 0.075ohm and threshold voltage of 4V ensure efficient operation and reliable performance under different operating conditions. With a power dissipation of 255W and an operating temperature range from -55°C to +150°C, this transistor is suitable for demanding environments where high power handling capabilities are essential. The TO-247 case style provides easy mounting and heat dissipation for optimal performance, while the absence of SVHC substances ensures environmental compliance and safety

特徴

High-speed switching capability
Low noise and high efficiency
Rugged and reliable performance
Compact size and low profile
Ergonomic design for easy handling
Fast recovery time for reduced stress

応用

High power applications
Compact size
Low switching losses

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	35 A	Rds On - Drain-Source Resistance	88 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	255 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	FDmesh
Series	STW43NM60ND	Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single	Fall Time	50 ns
Height	20.15 mm	Length	15.75 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	40 ns
Factory Pack Quantity	600	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	120 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns	Width	5.15 mm
Unit Weight	0.211644 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

同等部品

のために STW43NM60ND コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 : STW40N60M2

ブランド :

パッケージ : TO-247-3

説明 : Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

部品番号 : IRFP460

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : IRFPG50

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : AOTF60SM60N

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : FGA60N65SMD

ブランド :

パッケージ : TO-3P

説明 : IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT

部品番号 : IPP60R099CPXKSA1

ブランド :

パッケージ : TO-220-3

説明 : N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V CoolMOS CP, 3-Pin TO-220 Infineon

部品番号 : IXTH39N60AU1

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : 1MBI600U4B-120

ブランド :

パッケージ :

説明 :

パーツポイント

The STW43NM60ND is a power MOSFET semiconductor chip commonly used in various electronic applications, such as power supplies, motor drives, and lighting systems. It has a high voltage rating of 600V and a high current handling capability. The chip offers low on-resistance and excellent thermal performance, making it suitable for high-power applications.
Equivalent

Some equivalent products of the STW43NM60ND chip include the IRF540N, the STB55NF06L, and the FQP47P06.
Features

STW43NM60ND is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 43A. It has an RDS(on) of 0.025 ohms, making it suitable for high-efficiency applications. This device also features a fast switching performance and low gate charge, enhancing its overall performance.
Pinout

The STW43NM60ND is a power MOSFET with a TO-247 package. It has three pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the MOSFET, the Drain pin is the high-side power terminal, and the Source pin is the low-side power terminal.
Manufacturer

The manufacturer of the STW43NM60ND is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company headquartered in Switzerland.
Application Field

The STW43NM60ND is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that can be used in various applications such as motor control, power supplies, lighting, and industrial automation. It provides high voltage and current capabilities, making it suitable for these applications.