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ST STP25NM60ND

Name: STP25NM60ND
Brand: Stmicroelectronics
Rating: 4.8 (10 reviews)

Robust and compact Trans MOSFET solution for high-reliability design

ブランド: Stmicroelectronics

製造元部品 #: STP25NM60ND

データシート: STP25NM60ND Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-220-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,661 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STP25NM60ND 概要

The STP25NM60ND Power MOSFET is a reliable and efficient option for high power applications in industrial and automotive settings. With a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 25A, this N-channel MOSFET is well-suited for demanding tasks. Its low on-resistance of 0.15 ohms leads to decreased conduction losses and heightened efficiency, while its fast switching speed and low gate charge enable effective operation at high frequencies. Housed in a TO-220 package, the STP25NM60ND offers excellent thermal performance and easy PCB mounting, making it a practical solution for a wide range of applications. Furthermore, its high avalanche capability ensures reliable performance in harsh environments and during transient conditions, providing reassurance for users in demanding scenarios

特徴

Advanced logic controller
Ergonomic design software
High-performance computing kit
Sustainable energy solution suite
Intelligent data analytics tool
Cloud-based virtual assistant

応用

SMPS Components
Power Management
Motor Drive Solutions

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	21 A	Rds On - Drain-Source Resistance	160 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	160 W
Channel Mode	Enhancement	Series	STB25NM60N
Brand	STMicroelectronics	Configuration	Single
Fall Time	40 ns	Height	9.15 mm
Length	10.4 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	30 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	50 ns	Typical Turn-On Delay Time	60 ns
Width	4.6 mm

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

同等部品

のために STP25NM60ND コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 : IRF840PBF

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : IRF3710ZPBF

ブランド :

パッケージ : TO-220AB

説明 : N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:59A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):18mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V

部品番号 : STB55NF06LT4

ブランド :

パッケージ : D2PAK

説明 : N-CHANNEL 60V - 0.014 Ohm - 55A T0-220/TO-22OFP/D2PAK/I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET,MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp

部品番号 : FDPF33N25T

ブランド :

パッケージ : TO-220

説明 : Trans MOSFET N-CH 250V 33A Continuous Drain Current Id:20A, Drain Source Voltage Vds:250V

部品番号 : FQA24N50F

ブランド :

パッケージ : TO-3P

説明 : 500V N-Channel MOSFET

部品番号 : 2SK2545

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : AOTF25N60L

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : FCP25N60N

ブランド :

パッケージ : TO-220

説明 : MOSFET N-CH 600V TO-220-3

パーツポイント

STP25NM60ND is a power MOSFET transistor designed for high efficiency and reliable switching applications. It has a maximum voltage rating of 600V and a continuous drain current of 25A. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and lighting applications.
Equivalent

The equivalent products of the STP25NM60ND chip are the Mosfet N-Channel 600V 25A TO-220/TO-220FP PowerMESH™ II, STB40NM60ND, and the Htx208e. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the STP25NM60ND in different applications.
Features

1. 600V power MOSFET 2. N-channel type 3. Suitable for high power applications 4. Low input capacitance 5. Low on-state resistance 6. Avalanche energy rated 7. Fast switching capability 8. TO-220 package 9. RoHS compliant
Pinout

The STP25NM60ND is a 25A, 600V N-channel Power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3, and the functions are to control the flow of current through the MOSFET by applying voltage to the Gate pin.
Manufacturer

STMicroelectronics is the manufacturer of the STP25NM60ND. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of electronic components and systems, including semiconductors, discrete devices, and integrated circuits for various applications in automotive, industrial, communication, and consumer markets.
Application Field

The STP25NM60ND is commonly used in various applications such as high-power SMPS, PFC, welding, induction heating, and motor control systems. It is suitable for applications where high performance and efficiency are required, making it ideal for use in industrial, automotive, and consumer electronics.
Package

The STP25NM60ND chip is available in a TO-220 package type, a through-hole form, and has a size of 10.3mm x 4.6mm x 3.85mm.