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ST STF11NM60N

Name: STF11NM60N
Brand: STMicroelectronics, Inc
Rating: 4.8 (10 reviews)

TO-220FP-packaged N-channel MOSFET rated for 600V and 10A current, suitable for various power applications

ブランド: STMicroelectronics, Inc

製造元部品 #: STF11NM60N

データシート: STF11NM60N Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-220FP

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,838 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STF11NM60N 概要

STMicroelectronics introduces the STF11NM60N, a robust N-channel Power MOSFET tailored for high-power switching applications. With a 600V voltage rating and a maximum continuous drain current of 11A, this MOSFET is ideal for use in motor control, lighting, and power supply systems. Its low on-resistance of 0.8Ω minimizes power dissipation and enhances efficiency in high-current scenarios, while the gate threshold voltage of 3V ensures compatibility with standard logic levels. Packaged in a TO-220 housing, the MOSFET facilitates straightforward mounting on a heat sink for superior thermal performance. Furthermore, its integrated source-to-drain diode with fast recovery time provides robust protection against voltage spikes and inductive loads, making it a reliable choice for demanding applications

特徴

It has a drain-source voltage rating of 600V
It has a maximum continuous drain current of 11A
It has a low on-resistance of 0.35 ohms
It has a fast switching speed and low gate charge
It is designed to operate at high temperatures, making it suitable for use in industrial applications.

応用

It can be used in various power electronics applications, including switch-mode power supplies, lighting, motor control, and inverters.
It is commonly used in power conversion circuits for energy-efficient designs.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	STMicroelectronics	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Package / Case:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V	Id - Continuous Drain Current:	10 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	450 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 25 V, + 25 V
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	25 W	Channel Mode:	Enhancement
Series:	STB11NM60	Packaging:	Tube
Brand:	STMicroelectronics	Configuration:	Single
Fall Time:	12 ns	Height:	9.3 mm
Length:	10.4 mm	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	18.5 ns	Factory Pack Quantity:	1000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	50 ns	Typical Turn-On Delay Time:	22 ns
Width:	4.6 mm

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

同等部品

のために STF11NM60N コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 : IRF840PBF

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : IRF7314PBF

ブランド :

パッケージ :

説明 :

部品番号 : IPP60R099CPXKSA1

ブランド :

パッケージ : TO-220-3

説明 : N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V CoolMOS CP, 3-Pin TO-220 Infineon

部品番号 : STF13N60M2

ブランド :

パッケージ : TO-220F

説明 : Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

部品番号 : FQD11P06TM

ブランド :

パッケージ : TO-252

説明 : 60V P-Channel QFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel,MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V

部品番号 : IRF630NPBF

ブランド :

パッケージ : TO-220AB

説明 : MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.3Ω; ID 9.3A; TO-220AB; PD 82W; VGS +/-20V

部品番号 : IRLZ44NPBF

ブランド :

パッケージ : TO-220

説明 : 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRLZ44NPBF with Standard Packaging

部品番号 : FQP13N10L

ブランド :

パッケージ :

説明 :

パーツポイント

The STF11NM60N is a N-channel power MOSFET transistor designed for high-voltage applications with a voltage rating of 600V and a current rating of 11A. It is commonly used in power supply and motor control circuits due to its high efficiency and low on-state resistance.
Equivalent

The equivalent products of the STF11NM60N chip are STP11NM60N and STB11NM60N. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the STF11NM60N in various electronic circuits and applications.
Features

1. N-channel power MOSFET 2. 600V breakdown voltage 3. 11A continuous drain current 4. Low gate charge 5. Improved dv/dt ruggedness 6. Low on-resistance 7. Advanced planar technology (Note: This is a general overview of the features of STF11NM60N and may vary depending on the specific datasheet or manufacturer specifications.)
Pinout

The STF11NM60N is a N-channel Power MOSFET with a TO-220FP package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The pinout configuration is: G-pin 1, S-pin 2, D-pin 3. The function of the pins is: G - controls the flow of current, S - connected to the source of the device, and D - connected to the drain of the device.
Manufacturer

STF11NM60N is manufactured by STMicroelectronics, a French-Italian multinational semiconductor company. STMicroelectronics is a leading supplier of a wide range of products and solutions for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. They are known for their advanced technologies in developing semiconductor solutions for smart devices, IoT applications, and power management.
Application Field

The STF11NM60N is commonly used in applications such as power supplies, motor control, lighting, and automotive systems. Its features including low on-resistance, high switching speed, and high ruggedness make it suitable for a wide range of power management applications.
Package

The STF11NM60N chip comes in a TO-220 package, with a through-hole mounting type. The size of the chip is 10.4mm x 4.6mm x 9.15mm.