Infineon SPP11N80C3
SPP11N80C3 is a power MOSFET featuring an 800-volt rating and an 11-amp current capacity in its N-channel
ブランド: Infineon
製造元部品 #: SPP11N80C3
データシート: SPP11N80C3 Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: TO-220
RoHS ステータス:
在庫状況: 3235 個、新しいオリジナル
製品の種類: トランジスタ
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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1 | $2.904 | $2.904 |
10 | $2.575 | $25.750 |
50 | $2.381 | $119.050 |
100 | $2.183 | $218.300 |
500 | $2.091 | $1045.500 |
1000 | $2.051 | $2051.000 |
In Stock:3235 PCS
SPP11N80C3 概要
The SPP11N80C3 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-voltage applications. It has a drain-source voltage of 800V and a continuous drain current of 11A, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications. This MOSFET features a low on-state resistance of 0.55 ohms, allowing for efficient power dissipation and high power density. It also has a low gate charge of 13nC, enabling fast switching speeds and reduced switching losses.The SPP11N80C3 is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and easy mounting on a printed circuit board. It has a maximum junction temperature of 150°C, ensuring reliable operation under high-temperature conditions.This MOSFET is designed for use in power supplies, motor control, inverters, and other high-power applications where efficiency and reliability are critical. Its high voltage and current ratings, low on-state resistance, and fast switching speeds make it an ideal choice for demanding industrial and automotive applications.
特徴
- 1100V rated voltage
- 11A continuous drain current
- 3.5V gate source threshold voltage
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- High ruggedness
- Enhanced power dissipation
- RoHS compliant
- TO-220 packaging
応用
- Switch mode power supplies
- DC-DC converters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Electric vehicle charging systems
- Industrial motor drives
- Solar inverters
- Induction heating systems
- Power factor correction systems
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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IDpuls max | 33.0 A | RthJC max | 0.8 K/W |
RthJA max | 62.0 K/W | Ptot max | 156.0 W |
VDS max | 800.0 V | Polarity | N |
ID max | 11.0 A | RDS (on) max | 450.0 mΩ |
Mounting | THT | Special Features | price/performance |
Package | TO-220 | VGS(th) max | 3.9 V |
VGS(th) min | 2.1 V | Operating Temperature max | 150.0 °C |
Operating Temperature min | -55.0 °C |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
同等部品
のために SPP11N80C3 コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:
部品番号
ブランド
パッケージ
説明
部品番号 : IRFP450,
ブランド :
パッケージ :
説明 : IRFP460, IRFP4768, IRFP4868, FCP11N80, FCP12N80, FCPF11N80, FCPF12N80, STP11NM80, STP11NK80, STP11NM80FP, STP11NK80ZFP.
パーツポイント
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The SPP11N80C3 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It offers low on-resistance and a high switching speed, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high power applications. The chip has a breakdown voltage of 800V and a maximum continuous drain current of 11A, making it well-suited for demanding power electronics designs.
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Equivalent
Some equivalent products of the SPP11N80C3 chip include SPB11N80C3, SPA11N80C3, and SPM11N80C3. These chips offer similar specifications and features, making them potential substitutes for the SPP11N80C3. -
Features
The features of SPP11N80C3 include a breakdown voltage of 800V, a continuous drain current of 11A, and a low on-resistance of 0.33Ω. It also offers a fast switching capability, a low gate charge, and is suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and lighting. -
Pinout
The SPP11N80C3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. It is designed to handle high current and voltage applications. The pins are typically labeled as Gate, Drain, and Source, which control the flow of current through the device. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the SPP11N80C3. It is a semiconductor manufacturing company based in Germany. -
Application Field
The SPP11N80C3 is a high-voltage power MOSFET that can be used in various application areas including power supply, motor control, lighting, and audio amplification. It is designed to handle high-voltage and high-current loads with low on-resistance, making it suitable for applications requiring efficient power management and reliable performance. -
Package
The SPP11N80C3 chip comes in a TO-220 package type, which is a through-hole package with three pins for easy installation on a circuit board. The form describes the physical design and structure of the chip, and the size is in accordance with the TO-220 package dimensions.
データシート PDF
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