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vishay SIA517DJ-T1-GE3 48HRS

Transistor with N/P-MOSFET technology

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SIA517DJ-T1-GE3

データシート: SIA517DJ-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SC-70-6

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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数量 単価 外部価格
5 $0.211 $1.055
50 $0.183 $9.150
150 $0.171 $25.650
500 $0.156 $78.000
3000 $0.150 $450.000
6000 $0.146 $876.000

在庫あり: 9,458 PCS

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SIA517DJ-T1-GE3 概要

Product SIA517DJ-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor, designed with a high current rating of 4.5A I(D) and a maximum voltage of 12V. It features 2 elements, including an N-channel and a P-channel, making it versatile for various applications. Constructed with silicon and metal-oxide semiconductor materials, this transistor offers reliable performance and durability

特徴

  • None

    • 応用

    Load Switch for Portable Devices

    仕様

    パラメータ 価値 パラメータ 価値
    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case SC-70-6 Transistor Polarity N-Channel, P-Channel
    Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
    Id - Continuous Drain Current 4.5 A Rds On - Drain-Source Resistance 29 mOhms, 61 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 400 mV
    Qg - Gate Charge 15 nC, 20 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 6.5 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET, PowerPAK
    Series SIA Brand Vishay Semiconductors
    Configuration Dual Fall Time 10 ns, 20 ns
    Forward Transconductance - Min 21 S, 11 S Height 0.75 mm
    Length 2.05 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 10 ns, 25 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel, 1 P-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 22 ns, 30 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns, 30 ns
    Width 2.05 mm Part # Aliases SIA517DJ-GE3
    Unit Weight 0.000988 oz

    配送

    配送タイプ 配送料 リードタイム
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
    Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
    登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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    1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

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    パッキング

    • 製品

      ステップ1 :製品

    • 真空包装

      ステップ2 :真空包装

    • 静電気防止袋

      ステップ3 :静電気防止袋

    • 個包装

      ステップ4 :個包装

    • 梱包箱

      ステップ5 :梱包箱

    • バーコード配送タグ

      ステップ6 :バーコード配送タグ

    すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

    社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

    私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

    すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

    • ESD
    • ESD

    パーツポイント

    • The SIA517DJ-T1-GE3 is a high-performance, low capacitance TVS diode array designed to protect sensitive electronics from electrostatic discharge (ESD) and voltage transients. It features a 5.5V working voltage and ultra-low clamping voltage, making it ideal for applications such as smartphones, tablets, and portable electronics.

    • Equivalent

      The equivalent products of SIA517DJ-T1-GE3 chip are SI2307 and SI4843DY. These chips are also N-channel MOSFET transistors suitable for similar applications and have comparable specifications to the SIA517DJ-T1-GE3.

    • Features

      SIA517DJ-T1-GE3 is a power MOSFET with a drain source voltage of 30V, continuous drain current of 47A, low on-resistance, and high speed switching capability. It also features a small package size, suitable for a variety of applications in power management and battery protection circuits.

    • Pinout

      The SIA517DJ-T1-GE3 is a dual N-channel 70 V (D-S) MOSFET in a DFN2020-6 package. It has 6 pins, with Pin 1 and 6 connected to the source of each MOSFET, Pin 2 and 5 connected to the gates, and Pin 3 and 4 connected to the drains.

    • Manufacturer

      The manufacturer of SIA517DJ-T1-GE3 is Vishay Semiconductor. It is an electronic components company that specializes in the design, manufacture, and distribution of a wide range of discrete semiconductors and passive components. Vishay Semiconductor's products are used in various applications including automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.

    • Application Field

      The SIA517DJ-T1-GE3 is commonly used in power management applications, including voltage regulation and power distribution. It is suitable for use in various electronics devices such as smartphones, tablets, laptops, and other portable devices. It can also be utilized in industrial applications for power supply management and control.

    • Package

      The SIA517DJ-T1-GE3 chip is a surface mount package type with a form of PowerPAK SO-8 and a size of 5mm x 6mm.

    BS250KL-TR1-E3

    2N7002E

    SIHG20N50C-E3

    IRLR110PBF

    IRFS9N60APBF

    IRFU120

    IRFPS37N50A

    IRFP9240PBF

    PF240D25

    BTS5242-2L

    ATTINY10-TSHR

    SE050C1HQ1/Z01SCZ

    UCC28600D

    CP2104-F03-GMR

    ENC424J600-I/PT

    LT1963AEQ

    BCP56T1G

    TPS55340PWP

    ICP-10111

    LM76003RNPT

    MBRB20100CTG

    KSZ8794CNXIC

    AM3352BZCZ80

    HIH-4000-003

    MBRB10150CT

    MBRD835LT4G

    IRF3711

    LT1210CT7

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