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ON SI4532DY
30V Dual N & P-Channel FET with 65mOhm Resistance, Surface Mountable in SOIC-8 Package
ブランド: Onsemi
製造元部品 #: SI4532DY
データシート: SI4532DY Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: SOIC-8
RoHS ステータス:
在庫状況: 3207 個、新しいオリジナル
製品の種類: トランジスタ
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 5 | $0.342 | $1.710 |
| 50 | $0.277 | $13.850 |
| 150 | $0.249 | $37.350 |
| 500 | $0.205 | $102.500 |
| 3000 | $0.189 | $567.000 |
| 6000 | $0.180 | $1080.000 |
In Stock:3207 PCS
SI4532DY 概要
These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
特徴
- P-Channel
-3.5 A,-30V
RDS(ON) = 0.085 Ω @ VGS = -10V
RDS(ON) = 0.190 Ω @ VGS = -4.5V - N-Channel
3.9 A, 30V
RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = 10V
RDS(ON) = 0.095 Ω @ VGS = 4.5V - High power and current handling capability in a widely used surface mount package
- High density cell design for extremely low RDS(ON)
- Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mountpackage
応用
- This product is general usage and suitable for many different applications.
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 53 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V, 3 V |
| Qg - Gate Charge | 15 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | SI4532DY |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Dual |
| Fall Time | 0.8 ns, 6 ns | Forward Transconductance - Min | 7 S, 5 S |
| Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 18 ns, 8 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns, 18 ns | Typical Turn-On Delay Time | 7 ns, 9 ns |
| Width | 3.9 mm | Part # Aliases | SI4532DY_NL |
| Unit Weight | 0.008127 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI4532DY is a chip that is used in electronic devices for voltage regulation and power management. It has a high efficiency and can handle high currents, making it suitable for applications such as consumer electronics, automotive systems, and industrial equipment. The chip helps to ensure stable and reliable operation of the devices it is used in.
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Equivalent
The equivalent products of the SI4532DY chip are SI4532DDY, SI4532BDY, and SI4532EDY. -
Features
The SI4532DY is a dual N-channel enhancement mode power MOSFET. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching performance. It is designed for applications such as power management, motor control, and load switching, offering efficiency and reliability. -
Pinout
The SI4532DY is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has 8 pins. The pin configuration consists of 4 pins for each MOSFET: gate (G), drain (D), and source (S). -
Manufacturer
SI4532DY is manufactured by Vishay Intertechnology. It is an American company that specializes in manufacturing semiconductors and passive electronic components. -
Application Field
The SI4532DY is a power management IC (PMIC) suitable for various applications, including smartphones, tablets, portable gaming devices, and other portable electronic devices. It specifically integrates features like power conversion, battery charging, and power distribution, making it ideal for these types of applications. -
Package
The SI4532DY chip has a package type of SOP-8 (Small Outline Package-8), a form factor of surface mount, and a compact size with dimensions of approximately 5.0 mm x 4.4 mm x 1.75 mm.
データシート PDF
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