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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ST STD10NM60N

Name: STD10NM60N
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-channel 600V 10A power MOSFET, part number STD10NM60N, housed in a 3-pin DPAK package with 2 additional tabs for enhanced thermal dissipation

ブランド: Stmicroelectronics

製造元部品 #: STD10NM60N

データシート: STD10NM60N Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: DPAK

RoHS ステータス:

在庫状況: 3190 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$1.037	$1.037
10	$0.880	$8.800
30	$0.794	$23.820
100	$0.698	$69.800
500	$0.594	$297.000
1000	$0.575	$575.000

In Stock:3190 PCS

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STD10NM60N 概要

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特徴

100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
ECCN US	EAR99	ECCN EU	NEC
Packing Type	Tape And Reel	RoHs compliant	Ecopack2
Grade	Industrial

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The STD10NM60N is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip. It is designed for use in various power applications, such as power supplies, motor control circuits, and lighting applications. The chip has a low on-resistance and can handle high currents, making it suitable for high-power applications. It offers reliable performance and efficient power management.
Equivalent

There are several equivalent products of the STD10NM60N chip, including STP10NK60Z, STB10NK60ZT4, STP10NK60ZFP, STB10NK60ZT4FP, STP10NK60ZR, and STP10NK60ZFP.
Features

The STD10NM60N is a high voltage N-channel Power MOSFET designed for very low on-resistance. It has a maximum drain-source voltage rating of 600V, a low gate charge, and fast switching characteristics. The device is suitable for various applications including power supplies, motor control, and electronic ballasts.
Pinout

The STD10NM60N is a power transistor with a TO-252(DPAK) package. It has 3 pins, including the Gate, Drain, and Source. The gate controls the flow of current between the drain and the source.
Manufacturer

ST Microelectronics is the manufacturer of the STD10NM60N. It is a multinational semiconductor and electronics company, specializing in designing, manufacturing, and marketing a wide range of semiconductor solutions.
Application Field

The STD10NM60N is a power MOSFET transistor commonly used in various applications, including power supplies, motor control, lighting systems, and audio amplification. It can handle high drain current levels and has a low on-resistance, making it suitable for switching purposes in different electronic devices.
Package

The STD10NM60N chip is available in a TO-252 (DPAK) package type. It has a through-hole terminal form and a size of 10.16mm x 6.60mm.