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ST SCTWA50N120

Name: SCTWA50N120
Brand: STMicroelectronics, Inc
Rating: 4.8 (6 reviews)

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm

ブランド: STMicroelectronics, Inc

製造元部品 #: SCTWA50N120

データシート: SCTWA50N120 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: HiP-247-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,464 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SCTWA50N120 概要

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

特徴

Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability (T_J = 200
°C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	STMicroelectronics	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Y	Technology:	SiC
Mounting Style:	Through Hole	Package / Case:	HiP-247-3
Number of Channels:	1 Channel	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV	Id - Continuous Drain Current:	65 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	52 mOhms	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.8 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	25 V	Qg - Gate Charge:	122 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 200 C
Pd - Power Dissipation:	318 W	Configuration:	Single
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	HiP247â?¢
Series:	SCTWA50N120	Transistor Type:	1 N-Channel
Brand:	STMicroelectronics	Product Type:	MOSFET
Factory Pack Quantity:	600	Subcategory:	MOSFETs
Tags	SCTWA, SCTW, SCT	Pin Count	3
Package Category	Transistor Outline, Vertical	Released Date	Nov 11, 2021
Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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