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ST SCT20N170

Name: SCT20N170
Brand: STMicroelectronics, Inc
Rating: 4.8 (6 reviews)

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 43A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube

ブランド: STMicroelectronics, Inc

製造元部品 #: SCT20N170

データシート: SCT20N170 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: HIP247

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 2,072 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SCT20N170 概要

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

特徴

High speed switching performance
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitances
Very high operating junction temperature capability (T_J = 200 °C)

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
feature-packaging	Tube	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-supplier-package	HIP-247
feature-standard-package-name1		feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number	AEC-Q101	feature-auto-motive	Yes
feature-p-pap		feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc

配送

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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SCT20N170 chip is a power mosfet module designed for use in various electrical applications. it offers a low on-resistance and high voltage capability, making it suitable for power switching and energy management. the chip's compact design allows for easy integration into circuits, while its advanced features contribute to improved efficiency and performance.
Equivalent

Some equivalent products of the SCT20N170 chip include the sct20n120, sct20n120h, sct20n120h-1g, sct20n120h-2g, sct20n120xksa1, and sct20n120xksa2.
Features

The SCT20N170 is a silicon carbide power mosfet with a voltage rating of 1700v and a 20a current rating. it features low on-resistance, fast switching capabilities, and high-temperature operation, making it suitable for high-power applications that require efficiency and reliability.
Pinout

The SCT20N170 is a power mosfet with a to-247 package. it has 3 pins: gate (g), drain (d), and source (s). the gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. it is designed for high power and efficiency applications.
Manufacturer

Infineon technologies is the manufacturer of the SCT20N170. it is a multinational semiconductor company specializing in the development and production of various semiconductor solutions, including power management, automotive, and industrial electronics components.
Application Field

The SCT20N170 is a power mosfet transistor, and it can be used in various applications that require high power and efficiency, such as motor control, industrial automation, power supplies, and renewable energy systems. it is particularly well-suited for applications that demand low on-resistance and high current handling capabilities.
Package

The SCT20N170 chip is a power mosfet semiconductor device. it has a to-220 package type, which is a widely used three-pin package designed for high power applications. the physical dimensions of the to-220 package typically measure around 10.4mm x 15.6mm, allowing for efficient heat dissipation and easy mounting on a printed circuit board.