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ON NTR2101PT1G
Single P-Channel 8 V 120 mOhm 15 nC 0.96 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
ブランド: ON Semiconductor, LLC
製造元部品 #: NTR2101PT1G
データシート: NTR2101PT1G Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23
RoHS ステータス:
在庫状況: 3387 個、新しいオリジナル
製品の種類: トランジスタ
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 5 | $0.154 | $0.770 |
| 50 | $0.122 | $6.100 |
| 150 | $0.107 | $16.050 |
| 500 | $0.090 | $45.000 |
| 3000 | $0.082 | $246.000 |
| 6000 | $0.078 | $468.000 |
In Stock:3387 PCS
NTR2101PT1G 概要
P CHANNEL MOSFET, -8V, 3.7A, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.7A; Drain Source Voltage Vds: -8V; On Resistance Rds(on): 0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 960mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min: -55°C
特徴
- Leading Trench Technology for Low RDS(on)
- -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
- SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm)
応用
- High Side Load Switch
- DC-DC Conversion
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | NTR2101PT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Part Package Code | SOT-23 (TO-236) 3 LEAD | Package Description | LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| Pin Count | 3 | Manufacturer Package Code | 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 59 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 8 V |
| Drain Current-Max (ID) | 3.7 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.052 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-236AB |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.96 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | feature-category | Small Signal |
| feature-material | feature-process-technology | TMOS | |
| feature-configuration | Single | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | P | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 8 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±8 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 3.7 | |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | [email protected] | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | [email protected] |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1173@4V | |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 960 | |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | SOT-23 |
| feature-standard-package-name1 | SOT | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | No |
| feature-svhc-exceeds-threshold | No |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The NTR2101PT1G is a chip that functions as a dual-channel electrostatic discharge (ESD) protection device. It is designed to provide reliable protection for sensitive electronic components against ESD events by diverting harmful transient voltage away from the protected circuitry. This chip is commonly used in various electronic applications, including consumer electronics, automotive systems, and industrial equipment.
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Equivalent
Some of the equivalent products of the NTR2101PT1G chip include NTR2101P, NTR2101PT1, NTR2101PW, NTR2101PW1G, and NTR2101PW1G/MCP6321T-E/PC6321T-1, among others. -
Features
The NTR2101PT1G is a small-signal MOSFET transistor with a power dissipation of 100 mW, drain-source voltage of 60V, and continuous drain current of 1.7A. It features low on-resistance, fast switching speed, and is suitable for general-purpose amplification and switching applications. -
Pinout
The NTR2101PT1G is a Dual N-Channel Power MOSFET with a pin count of 6. It is used as a switching device in power management applications, offering low on-resistance and high efficiency. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTR2101PT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier that designs and manufactures a wide range of power and signal management, logic, discrete, and custom devices for various industries including automotive, industrial, consumer, aerospace, and more. -
Application Field
The NTR2101PT1G is a high-speed switching diode commonly used in applications such as clamp diodes, ESD protection, and AC line protection. It is designed to provide fast response times and low leakage currents, making it suitable for use in various electronic devices and circuits. -
Package
The NTR2101PT1G chip is available in an SOT-23 package type. The form is surface mount, and it has a small size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
データシート PDF
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