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ON NTMFS4C302NT1G
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
ブランド: ON Semiconductor, LLC
製造元部品 #: NTMFS4C302NT1G
データシート: NTMFS4C302NT1G Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: SO-FL EP
RoHS ステータス:
在庫状況: 2871 個、新しいオリジナル
製品の種類: トランジスタ
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $0.972 | $0.972 |
| 10 | $0.773 | $7.730 |
| 30 | $0.663 | $19.890 |
| 100 | $0.540 | $54.000 |
| 500 | $0.420 | $210.000 |
| 1500 | $0.394 | $591.000 |
In Stock:2871 PCS
NTMFS4C302NT1G 概要
The NTMFS4C302N is a Single N-Channel Power MOSFET with a small footprint that is perfect for compact designs.
特徴
- Small Footprint (5 x 6 mm)
- Low RDS(on)
- Low QG and Capacitance
- RoHS Compliant
応用
- This product is general usage and suitable for many different applications
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SO-8FL-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 230 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 82 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Reel |
| Brand: | ON Semiconductor | Forward Transconductance - Min: | 135 S |
| Fall Time: | 11 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 19 ns | Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Tags | NTMFS4C3, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM |
| Source Content uid | NTMFS4C302NT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 488AA | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 66 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | Avalanche Energy Rating (Eas) | 186 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 41 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0017 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F5 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 5 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 96 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 388 A | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Element Material | SILICON |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET chip designed for fast switching applications in power management circuits. It offers a low ON-resistance and low gate charge, resulting in improved efficiency and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as smartphones, tablets, and laptops, to enhance power conversion and control capabilities.
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Features
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET that offers a low on-resistance and fast switching capability. It is capable of handling high current levels while maintaining low power dissipation. The device is designed for various applications, including power management and conversion circuits, such as voltage regulator modules, DC-DC converters, and synchronous rectification. -
Pinout
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET with a pin count of 8. It is used for power management applications and has a maximum drain current of 72A. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTMFS4C302NT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that develops and manufactures a wide range of integrated circuits and discrete devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The NTMFS4C302NT1G is a high-performance power MOSFET that can be used in various applications, including power supplies, motor control, DC-DC converters, and load switches. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for applications that require reliable power management and control. -
Package
The NTMFS4C302NT1G chip has a package type of DFN (Dual Flat No-Lead), form of SON (Small Outline No-Lead), and size of 3mm x 3mm.
データシート PDF
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