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ON NTJD4158CT1G

MOSFETs- Power and Small Signal PFET 20V .88A 1OHM

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: NTJD4158CT1G

データシート: NTJD4158CT1G Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: SC-70-6

製品の種類: FET, MOSFET Arrays

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,921 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NTJD4158CT1G 概要

Whether you are designing circuitry for consumer electronics, industrial machinery, or telecommunications equipment, the NTJD4158CT1G MOSFET transistor provides the performance and reliability you need. Its complemented N and P channel configuration, along with its low on-resistance and high power dissipation capabilities, make it a versatile and efficient component for a wide range of applications. Consider incorporating the NTJD4158CT1G into your next design to benefit from its compact size, moderate power handling, and reliable operation. With its MSL 1 - Unlimited moisture sensitivity rating and compliance with SVHC regulations, this transistor is a safe and dependable choice for your projects

特徴

  • Low Noise and EMI Immunity
  • High Temperature Operating Capability
  • Wide Input Voltage Range and Overvoltage Protection
  • Soft Startup and Shutdown Control for Low Inrush Current
  • Economical Design with High Reliability
  • SMT Package for Easy Mounting and Handling

応用

  • Low Power Consumption
  • Short Circuit Detection
  • Thermal Management

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Source Content uid NTJD4158CT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Part Package Code SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD Package Description SC-88, SC-70, 6 PIN
Pin Count 6 Manufacturer Package Code 419B-02
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95 Factory Lead Time 51 Weeks
Samacsys Manufacturer onsemi Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 0.25 A
Drain-source On Resistance-Max 2.5 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 12 pF JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2 Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.27 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON feature-category Small Signal
feature-material feature-process-technology TMOS
feature-configuration Dual feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type P|N feature-number-of-elements-per-chip 2
feature-maximum-drain-source-voltage-v 20@P Channel|30@N Channel feature-maximum-gate-source-voltage-v ±12@P Channel|±20@N Channel
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 1.5 feature-maximum-continuous-drain-current-a 0.88@P Channel|0.25@N Channel
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm [email protected]@P Channel|[email protected]@N Channel feature-typical-gate-charge-vgs-nc [email protected]@P Channel|0.9@5V@N Channel
feature-typical-gate-charge-10v-nc feature-typical-input-capacitance-vds-pf 155@20V@P Channel|20@5V@N Channel
feature-typical-output-capacitance-pf 25@P Channel|19@N Channel feature-maximum-power-dissipation-mw 270
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 6 feature-supplier-package SC-88
feature-standard-package-name1 SOT feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection Yes feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc No
feature-svhc-exceeds-threshold No

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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  • 静電気防止袋

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  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • NTJD4158CT1G is a N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, high drain current capability, and low gate charge. The chip is suitable for various power management and voltage regulation applications in electronic devices.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the NTJD4158CT1G chip include the NDT3055L, NDF6N40ZG, and NTMFS4C05N. These are all N-channel Power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, making them suitable alternatives for various applications.
  • Features

    NTJD4158CT1G is a Small Signal Field-Effect Transistor (FET) with a low ON resistance, high current handling capability, and high input impedance. It is designed for applications requiring high power and efficiency, such as switching circuits and low noise amplifiers. Its compact size and high performance make it ideal for use in a wide range of electronic devices.
  • Pinout

    The NTJD4158CT1G is a P-channel MOSFET transistor with a pin count of 3. The gate (G) pin controls the flow of current between the source (S) and drain (D) pins. The drain pin is usually connected to the positive voltage source, while the source pin is connected to the load or ground.
  • Manufacturer

    NTJD4158CT1G is manufactured by ON Semiconductor Corporation. ON Semiconductor Corporation is a leading supplier of semiconductor-based solutions for a variety of electronic devices and industries, including automotive, industrial, and communications. The company specializes in providing power management, analog, and sensor products to help customers design and manufacture innovative products.
  • Application Field

    NTJD4158CT1G is commonly used in applications such as load switch, power management, and voltage regulation in various electronic devices like smartphones, tablets, laptops, and other portable devices. It is also used in power distribution systems, battery management, and voltage detection circuits due to its low on-resistance and high current-carrying capability.
  • Package

    The NTJD4158CT1G chip is available in a DPAK (TO-252) package, with a form of surface mount, and a size of 6.6mm x 6.6mm x 4.4mm.

データシート PDF

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