画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000ON MGSF2N02ELT1G
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
ブランド: ON Semiconductor, LLC
製造元部品 #: MGSF2N02ELT1G
データシート: MGSF2N02ELT1G Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
MGSF2N02ELT1G 概要
The MGSF2N02ELT1G is a N-Channel Mosfet with a drain-source voltage (Vds) of 20V and a continuous drain current (Id) of 2.8A. It is designed for surface mount installation and has a Rds(On) test voltage of 4.5V and a maximum gate-source threshold voltage of 500mV. This product is fully RoHS compliant, ensuring that it meets the latest environmental standards. It is available in a full reel packaging, making it suitable for high-volume production and manufacturing processes. The MGSF2N02ELT1G is a reliable and efficient choice for a wide range of applications, from consumer electronics to industrial equipment
特徴
- Elevated Temperature and Humidity Resistance
- Robust Construction against Mechanical Stress
- Excellent Electrical Characteristics
応用
- Enhanced Power Efficiency
- Power-saving Solutions
- Superior Power Performance
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Status | Active | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | SOT-23-3 |
| Case Outline | 318-08 | MSL Type | 1 |
| MSL Temp (°C) | 260 | Container Type | REEL |
| Container Qty. | 3000 | ON Target | N |
| Channel Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
| V(BR)DSS Min (V) | 20 | VGS Max (V) | 8 |
| VGS(th) Max (V) | 1 | ID Max (A) | 2.8 |
| PD Max (W) | 1.25 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 115 |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 85 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | - |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 3.5 |
| Ciss Typ (pF) | 150 | Pricing ($/Unit) | $0.1033Sample |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | feature-configuration | Single | |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 20 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±8 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 2.8 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | [email protected] |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 3.5@4V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 150@5V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 1250 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | SOT-23 | feature-standard-package-name1 | SOT |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | No |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The MGSF2N02ELT1G is a power MOSFET chip designed for low voltage applications. It features a drain-source voltage of 20V and a continuous drain current of 2A. Its compact size and low on-resistance make it suitable for use in portable electronic devices, such as smartphones and tablets.
-
Equivalent
Some equivalent products of the MGSF2N02ELT1G chip include the PH2133NL and PH2134NL MOSFETs. These products have similar specifications and can be used as alternatives in various applications. -
Features
MGSF2N02ELT1G is a surface-mount, N-channel MOSFET with a voltage rating of 20V and current rating of 2A. It features low on-resistance, fast switching capabilities, and a small package size (SOT-23-3). -
Pinout
The MGSF2N02ELT1G is a MOSFET transistor with a pin count of 2. It functions as a low voltage, small signal N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET), commonly used in electronic circuits for switching and amplification applications. -
Manufacturer
ON Semiconductor is the manufacturer of the MGSF2N02ELT1G. It is a multinational semiconductor manufacturing company that produces a wide range of electronic components, including power and signal management, logic, discrete, and custom devices. -
Application Field
The MGSF2N02ELT1G is a small-signal field-effect transistor (FET) commonly used in applications such as amplifiers, switches, and voltage regulators. It is commonly used in low-voltage circuits, portable electronic devices, and other applications where low power consumption and high performance are desired. -
Package
The MGSF2N02ELT1G chip comes in a surface-mount SOT-23 package. It has three pins and a size of approximately 2.94 mm x 1.3 mm x 1.3 mm.
データシート PDF
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