このウェブサイトは Cookie を使用しています。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。詳細については、こちらをご覧くださいプライバシーポリシー.

画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON MMBT5401LT1G

Name: MMBT5401LT1G
Rating: 4.5 (10 reviews)

PNP Transistor with 0.5A Current Rating and SOT-23 Package

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: MMBT5401LT1G

データシート: MMBT5401LT1G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Bipolar Transistors - BJT

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
10	$0.040	$0.400
100	$0.033	$3.300
300	$0.029	$8.700
3000	$0.026	$78.000
6000	$0.025	$150.000
9000	$0.024	$216.000

In Stock:9458 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください MMBT5401LT1G またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

量^*

Eメール^*

連絡先^*

会社

述べる

MMBT5401LT1G 概要

The MMBT5401LT1G is a bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. It belongs to the PNP transistor family, making it suitable for various switching and amplification applications. The "MM" in the part number indicates that it is designed for general-purpose use.This transistor is housed in a SOT-23 surface mount package, making it compact and suitable for use in small electronic devices and circuit boards. The "LT" in the part number indicates that it is a lead-free version, complying with environmental regulations such as the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive.The MMBT5401LT1G has a maximum collector-base voltage (V_CBO) of -160 volts and a maximum collector-emitter voltage (V_CEO) of -160 volts, with a maximum emitter-base voltage (V_EBO) of -5 volts. It can handle a continuous collector current (I_C) of -600 milliamps.This transistor has a low saturation voltage and fast switching speed, making it suitable for use in applications such as amplifiers, switching circuits, voltage regulators, and motor control.

特徴

The MMBT5401LT1G is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in switching and amplification applications

It has a maximum collector current of 600mA, a maximum collector-emitter voltage of 160V, and a power dissipation of 225mW

The transistor is housed in a SOT-23 package, making it suitable for compact electronic designs

応用

The MMBT5401LT1G is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications

It is suitable for low-power and small-signal amplification tasks in various electronic circuits, including audio amplifiers, signal amplifiers, and voltage amplifiers

Its compact size and versatile characteristics make it suitable for a wide range of electronic projects and devices

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	SOT-23-3	Case Outline	318-08
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	3000
ON Target	N	Polarity	PNP
Type	General Purpose	VCE(sat) Max (V)	0.5
IC Cont. (A)	0.5	VCEO Min (V)	150
VCBO (V)	160	VEBO (V)	5
VBE(sat) (V)	1	hFE Min	60
hFE Max	240	fT Min (MHz)	100
PTM Max (W)	0.225

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MMBT5401LT1G chip is a low voltage, PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for various applications, including switching and amplification in electronic circuits. It has a maximum current rating of 600 mA and a power dissipation of 350 mW. With a compact SOT-23 package, it is commonly used in portable electronic devices, battery-powered applications, and other low voltage circuits.
Equivalent

Some equivalent products of the MMBT5401LT1G chip include: 2N5401, BC327, and KSP5401.
Features

The MMBT5401LT1G is a high voltage PNP transistor with a Collector-Emitter voltage (VCEO) of -150 V. It has a Collector current (IC) rating of -600 mA and a power dissipation (PD) of 225 mW. It comes in a small SOT-23 package, making it suitable for space-constrained applications.
Pinout

The MMBT5401LT1G is a SOT-23 package with 3 pins. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. It is a general-purpose PNP bipolar junction transistor used for amplification and switching applications.
Manufacturer

The manufacturer of the MMBT5401LT1G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and sells a wide range of electronic components for various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The MMBT5401LT1G is a general-purpose PNP transistor, commonly used in applications such as signal amplification, switching, and audio amplification. It can be found in various electronic devices, including audio equipment, power supplies, and sensor circuits.
Package

The MMBT5401LT1G chip is available in a SOT-23 package type. It has three terminals in the SMD form and measures approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm in size.