注文金額が
$5000NGTB25N120LWG
N-channel insulated gate bipolar transistor for efficient current contr
ブランド: Onsemi
製造元部品 #: NGTB25N120LWG
データシート: NGTB25N120LWG データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-247-3
製品の種類: Single IGBTs
NGTB25N120LWG 概要
Featuring a cutting-edge Field Stop Trench construction, the NGTB25N120LWG Insulated Gate Bipolar Transistor sets a new standard for power management in demanding switching applications. This IGBT offers superior performance with its low on-state voltage and minimal switching loss, making it a cost-effective solution for industries looking to improve their operational efficiency. Its rugged co-packaged free wheeling diode with low forward voltage adds to its durability and reliability, ensuring consistent performance even in challenging environments
特徴
- Compact Size and Low Profile
- High Speed Switching Capability
- Rugged Construction for Shock and Vibration Resistance
- Low EMI and RFI Radiation
応用
- LED Display Signage
- Electric Vehicle Charging
- Audio Equipment
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Status | Obsolete | Compliance | PbAHP |
Package Type | TO-247-3 | Case Outline | 340L-02 |
MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
Container Type | TUBE | Container Qty. | 30 |
ON Target | N | V(BR)CES Typ (V) | 1200 |
IC Max (A) | 25 | VCE(sat) Typ (V) | 1.85 |
VF Typ (V) | 1.7 | Eoff Typ (mJ) | 0.8 |
Eon Typ (mJ) | 3.4 | Gate Charge Typ (nC) | 200 |
Short Circuit Withstand (µs) | 5 | PD Max (W) | 192 |
Co-Packaged Diode | Yes |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The NGTB25N120LWG is a silicon carbide power chip designed for high-power applications, offering low on-state resistance and high switching speed. It is suitable for use in electric vehicles, solar inverters, and other high-performance power electronics applications.
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Equivalent
Equivalent products of NGTB25N120LWG chip are Infineon IGBT modules like FF450R12IE4 and FF450R12KT4. These modules have similar specifications including voltage and current ratings, making them suitable replacements for NGTB25N120LWG in various applications. -
Features
The NGTB25N120LWG is a 1200V, 25A NPT IGBT module with a low saturation voltage and low switching losses. It has an isolated baseplate for easy heatsink mounting, built-in temperature sensor, and internal gate resistor for reduced external components. Suitable for high power applications like motor drives, UPS systems, and solar inverters. -
Pinout
The NGTB25N120LWG is a 25A/1200V IGBT transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: G (Gate), C (Collector), and E (Emitter). The function of this IGBT is to amplify and control power flow in electronic circuits, commonly used in motor control, power supplies, and inverters. -
Manufacturer
The manufacturer of the NGTB25N120LWG is ON Semiconductor. It is a Fortune 500 company that specializes in designing and manufacturing power management solutions, discrete and integrated semiconductor components for various industries such as automotive, consumer, and industrial electronics. ON Semiconductor is headquartered in Phoenix, Arizona, with operations in multiple countries worldwide. -
Application Field
The NGTB25N120LWG is commonly used in applications such as motor control, solar inverters, welding machines, and uninterruptible power supplies. Its high power density and low on-state voltage make it ideal for high-frequency switching and high-power applications. -
Package
The NGTB25N120LWG chip is in a module type package with a TO-247 form and size.
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