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MJD112T4G

Name: MJD112T4G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK

ブランド: onsemi

製造元部品 #: MJD112T4G

データシート: MJD112T4G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: DPAK

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$0.468	$0.468
10	$0.381	$3.810
30	$0.344	$10.320
100	$0.297	$29.700
500	$0.276	$138.000
1000	$0.265	$265.000

在庫あり: 9,458 PCS

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MJD112T4G 概要

The MJD112T4G Darlington Bipolar Power Transistor is a versatile component that is essential for applications requiring high power and switching capabilities. Ideal for use in output or driver stages in a variety of electronic devices, this transistor offers reliable performance in switching regulators, converters, and power amplifiers. With its NPN design, the MJD112T4G complements the MJD117 (PNP) device, providing a complete and efficient solution for your circuit design needs

特徴

Advanced Packaging for Increased Density
High-Speed SERDES Transceiver Built-In
Robust Error Correction Mechanisms Included
Suitable for 5G and IoT Applications
Fully Compatible with PCIe 3.0 Standard

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	Darlington Transistors
RoHS:	Details	Configuration:	Single
Transistor Polarity:	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V	Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Maximum DC Collector Current:	2 A	Maximum Collector Cut-off Current:	20 uA
Pd - Power Dissipation:	20 W	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-252-3 (DPAK)	Minimum Operating Temperature:	- 65 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Series:	MJD112
Packaging:	MouseReel	Brand:	onsemi
Continuous Collector Current:	2 A	DC Collector/Base Gain hfe Min:	200, 500, 1000
Height:	2.38 mm	Length:	6.73 mm
Product Type:	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity:	2500
Subcategory:	Transistors	Width:	6.22 mm
Unit Weight:	0.016579 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

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支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MJD112T4G is a power transistor chip. It belongs to the NPN high voltage Power Transistor family and is designed for high speed switching applications. It has a maximum collector current of 2 A and a high collector-emitter voltage of 100 V. The chip is commonly used in various electronic devices and circuits where high voltage switching is required.
Equivalent

There are no direct equivalent products for the MJD112T4G chip. However, alternative options could include similar power transistors such as the MJD50T4G or the MJD122T4G. It is recommended to compare specifications and consult with the manufacturer for the best alternative match.
Features

MJD112T4G is a NPN Darlington transistor. It has a maximum collector current of 2A, a maximum collector-emitter voltage of 100V, and a maximum power dissipation of 2W. It offers low saturation voltage, high DC current gain, and is designed for general purpose switching and amplifier applications.
Pinout

The MJD112T4G is a transistor with a pin count of 4. It is a NPN bipolar power transistor commonly used for switching and amplification purposes in electronic circuits.
Manufacturer

The manufacturer of the MJD112T4G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global supplier of semiconductor-based solutions, including a wide range of power and signal management, logic, discrete, and custom devices. They serve various industries such as automotive, consumer electronics, industrial, medical, and aerospace/defense.
Application Field

The MJD112T4G is a high voltage NPN bipolar power transistor primarily used in applications such as automotive ignition systems, solenoid drivers, and switching power supplies. It is designed to handle high voltage and high current levels, making it suitable for various applications that require efficient switching capabilities.
Package

The MJD112T4G chip is in a DPAK package type, which is a surface-mount power transistor package. The form is a rectangular plastic case with three leads. The size of the chip is approximately 6.6mm x 9.9mm x 2.57mm.