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MJ11030
These Bipolar Power Darlington Transistors are designed for use as output devices in a variety of amplifier applications
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: Onsemi
製造元部品 #: MJ11030
データシート: MJ11030 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-204-2 (TO-3)
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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1 | $8.011 | $8.011 |
10 | $7.266 | $72.660 |
25 | $6.812 | $170.300 |
100 | $6.430 | $643.000 |
在庫あり: 9,458 PCS
MJ11030 概要
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
![](/files/uploads/product/b/095e3b8b11284787bf2082b3e06605bd.webp)
特徴
- High Current Handling
- Low Input Resistance
- Pulse Width Modulation
- Rapid Saturation Time
- Silicon Carbide Material
- Fault Detection Algorithm
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | Darlington Transistors | Configuration | Single |
Transistor Polarity | NPN | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 90 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector- Base Voltage VCBO | 90 V |
Maximum DC Collector Current | 50 A | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-204-2 (TO-3) | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | onsemi |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 400, 1000 | Height | 8.51 mm |
Length | 38.86 mm | Product Type | Darlington Transistors |
Subcategory | Transistors |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The MJ11030 is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for power amplifier and switching applications. It can handle high current and voltage levels, making it suitable for power control in various electronic devices and systems. With its robust construction and high reliability, the MJ11030 is commonly used in industrial and automotive applications where efficient power handling is crucial.
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Equivalent
The MJ11030 chip's equivalents include the 2N6547, BUW51A, and BUW51B. These alternatives offer similar performance characteristics and can be used interchangeably in many applications requiring a power transistor with comparable specifications. -
Features
The MJ11030 is a high-power NPN bipolar junction transistor designed for high-voltage, high-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage rating of 120V, a collector current of 30A, and a power dissipation of 200W. The transistor is housed in a TO-3 package, providing robustness and efficient heat dissipation. -
Pinout
The MJ11030 is a power transistor with a TO-3 package, typically used in high-power applications. It has three pins: Base, Collector, and Emitter. The Base pin controls the flow of current between the Collector and Emitter. It's commonly employed in audio amplifiers and power supplies. -
Manufacturer
The MJ11030 is manufactured by ON Semiconductor, an American semiconductor supplier headquartered in Phoenix, Arizona. ON Semiconductor produces a wide range of power management, analog, logic, discrete, and custom devices for various applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The MJ11030 is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in applications requiring high voltage and high current. It finds use in power supplies, motor control, audio amplifiers, and high-power switching circuits due to its capability to handle large currents and voltages. -
Package
The MJ11030 chip is a TO-3 package type power transistor, with dimensions of 29.5mm x 22.5mm x 10.0mm. It is a through-hole component with a maximum power dissipation of 200 watts and a collector current of 80 amperes.
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