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MJB44H11T4G

Name: MJB44H11T4G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Surface Mount D²PAK

ブランド: onsemi

製造元部品 #: MJB44H11T4G

データシート: MJB44H11T4G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: D2PAK-3

製品の種類: Single Bipolar Transistors

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MJB44H11T4G 概要

The MJB44H11T4G is a high-performance power transistor designed for NPN (Negative-Positive-Negative) applications. With a collector-emitter voltage (V(br)ceo) of 80V, this transistor is capable of handling high voltage requirements in various electronic circuits. The transition frequency (ft) of 50MHz makes it ideal for fast switching applications, while the power dissipation (Pd) of 50W ensures reliable performance under heavy load conditions. With a DC collector current of 10A and a DC current gain (hFE) of 40hFE, the MJB44H11T4G provides the necessary amplification and power handling capabilities required in modern electronic devices

特徴

Compact Design Saves Space
High Efficiency for Longer Battery Life
Low Power Consumption Ideal for Mobile Devices

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	onsemi	Product Category:	Bipolar Transistors - BJT
RoHS:	Details	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	D2PAK-3	Transistor Polarity:	NPN
Configuration:	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector- Base Voltage VCBO:	-	Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1 V	Maximum DC Collector Current:	10 A
Pd - Power Dissipation:	50 W	Gain Bandwidth Product fT:	50 MHz
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	MJB44H11	Packaging:	MouseReel
Brand:	onsemi	Continuous Collector Current:	10 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	60	Height:	4.83 mm
Length:	10.29 mm	Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity:	800	Subcategory:	Transistors
Technology:	Si	Width:	9.65 mm
Unit Weight:	0.050054 oz

配送

	配送料	リードタイム
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パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MJB44H11T4G is a high voltage, high-speed NPN transistor chip designed for use in automotive ignition systems. It offers low saturation voltage and fast switching speeds, making it ideal for applications requiring high performance and reliability. This chip is part of ON Semiconductor's wide range of power transistors for automotive and industrial applications.
Equivalent

The equivalent products of MJB44H11T4G chip are MJB44H11T30G, MJB44H11T5G, and MJB44H11T10G. These chips have similar specifications and characteristics, making them suitable replacements for the original chip in various applications.
Features

MJB44H11T4G is a N-channel, enhancement mode, fast switching, power MOSFET. It has a high input impedance, low on-state resistance, and is suitable for high-speed switching applications. This MOSFET is designed for use in power management applications such as motor control, power supplies, and inverters.
Pinout

The MJB44H11T4G is a dual N-channel Power MOSFET with a total of 8 pins. It is typically used for high power and high current applications in industrial and automotive systems. The device functions as a switch to control the flow of current in electronic circuits.
Manufacturer

MJB44H11T4G is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of semiconductor-based solutions. ON Semiconductor specializes in power and signal management, discrete and custom solutions for a variety of industries including automotive, communications, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

MJB44H11T4G is a high-power N-channel MOSFET suitable for applications requiring high power amplification, such as audio amplifiers, power supplies, motor control, and high-frequency converters. It can also be used in automotive and industrial applications where high current and voltage ratings are necessary.
Package

The MJB44H11T4G chip is a Power MOSFET in a TO-263-3 package. It has a form factor of a surface-mount device with a size of 10mm x 7.6mm x 4.6mm.