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注文金額が
$5000
IXXH80N65B4H1
N-Channel 650V 160A Power
ブランド: IXYS
製造元部品 #: IXXH80N65B4H1
データシート: IXXH80N65B4H1 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-247-3
RoHS ステータス:
在庫状況: 6,785 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $8.869 | $8.869 |
| 10 | $7.888 | $78.880 |
| 30 | $7.290 | $218.700 |
| 100 | $6.789 | $678.900 |
在庫あり: 6,785 PCS
IXXH80N65B4H1 概要
The IXXH80N65B4H1 product, developed using our exclusive XPT™ thin-wafer technology and state-of-the-art Trench IGBT process, offers a wide range of advantages. These include minimized thermal resistance, low energy consumption, swift switching speeds, minimal tail current, and high current densities. Notably, these IGBTs exhibit exceptional robustness during short-circuit scenarios, boasting a 10µs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA). Their square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) and 650V breakdown voltage make them ideal for snubber-less hard-switching applications. Moreover, their positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient enables designers to parallel multiple devices effortlessly to meet high current requirements. Thanks to their low gate charges, these IGBTs help reduce gate drive needs and minimize switching losses, making them a preferred choice for a variety of industrial uses
特徴
- High current handling capacity
- Low electromagnetic interference
- Self-recovery capability after fault conditions
応用
- Robust construction
- Stable operation
- Energy-saving technology
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Series | GenX4™, XPT™ | Package | Tube |
| Product Status | Active | IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 160 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 430 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Power - Max | 625 W | Switching Energy | 3.77mJ (on), 1.2mJ (off) |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 120 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 38ns/120ns | Test Condition | 400V, 80A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXXH) |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IXXH80N65B4H1 chip is a high power density IGBT module designed for use in applications such as motor drives, inverters, and power supplies. It features low switching and conduction losses, high reliability, and a compact footprint. The chip is ideal for high power, high frequency, and high voltage applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXXH80N65B4H1 chip are Infineon SPA08N65C3, Vishay SIHB80N65E-GE3, and STMicroelectronics STW80N65M5. These are Power MOSFETs with similar specifications and features that can be used as replacements for the IXXH80N65B4H1 chip in various electronic applications. -
Features
The IXXH80N65B4H1 is a 650V, 80A high-speed switching IGBT module with integrated anti-parallel diode. It low VCE(sat), low switching losses, and high ruggedness. The module suitable for various power electronic applications such as motor drives, UPS systems, and renewable energy inverters. -
Pinout
The IXXH80N65B4H1 is a 4th generation IGBT with a pin count of 3 (Gate, Collector, and Emitter). Its function is to control high power and high voltage applications, providing efficient switching and amplification of electrical signals. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IXXH80N65B4H1. It is a multinational company known for designing and manufacturing semiconductors and microelectronics. Infineon is a leading supplier of power semiconductors, sensors, and security solutions for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IXXH80N65B4H1 is a high-voltage, high-speed IGBT designed specifically for applications such as power supplies, induction heating, UPS, and motor control. It is commonly used in industrial applications that require high efficiency and high power density in a compact package. -
Package
The IXXH80N65B4H1 chip is in a TO-264 package, is a single MOSFET form, and has a size of 10.5 mm x 20 mm.
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