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IXTK120N25P

Name: IXTK120N25P
Rating: 4.5 (10 reviews)

3-Pin N-Channel Transistor with TO-264AA Package, rated for 250V and 120A

ブランド: Ixys

製造元部品 #: IXTK120N25P

データシート: IXTK120N25P データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-264-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,852 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$11.294	$11.294
200	$4.371	$874.200
500	$4.218	$2109.000
1000	$4.142	$4142.000

在庫あり: 6,852 PCS

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IXTK120N25P 概要

The IXTK120N25P is a high-power MOSFET transistor designed for use in high-performance applications. It is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with a drain-source voltage (VDS) rating of 250V and continuous drain current (ID) of 120A. This makes it suitable for high-power applications in industries such as power supplies, motor control, and automotive systems.The transistor has a low on-resistance (RDS(on)) of 0.057 ohms, allowing for efficient power dissipation and minimal thermal resistance. This results in reduced power losses and improved efficiency in high-current applications.The IXTK120N25P features a TO-264 package, which provides good thermal conduction and high-power dissipation capabilities. It also has a wide operating temperature range of -55°C to 175°C, making it suitable for use in a variety of environmental conditions.

特徴

High voltage, high-speed switching capability

Low on-resistance

Low gate charge

Fast switching speed

Suitable for use in power conversion applications

TO-264 package for easy mounting

Can handle currents up to 120A

Voltage rating of 250V

Suitable for high power applications

応用

The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor suitable for high-power applications such as inverters, industrial motor control, power supplies, and welding equipment

Its high voltage and current handling capabilities make it ideal for applications where high efficiency and reliability are required

The transistor can also be used in electronic ballasts, UPS systems, and battery chargers

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-264-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	250 V
Id - Continuous Drain Current	120 A	Rds On - Drain-Source Resistance	24 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5 V
Qg - Gate Charge	185 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	700 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PolarHT
Series	IXTK120N25	Brand	IXYS
Configuration	Single	Fall Time	33 ns
Forward Transconductance - Min	50 S	Height	26.16 mm
Length	19.96 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	33 ns	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	PolarHT Power MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	130 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns	Width	5.13 mm
Unit Weight	0.352740 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor chip designed for high power switching applications. It has a continuous current rating of 120A and a voltage rating of 250V. Its compact size and high efficiency make it ideal for use in power supplies, motor control, and other high-power applications.
Equivalent

Some equivalent products of IXTK120N25P chip are IXFN120N25P, IXFN120N25T, IXKF120N25P, and IXKD120N25P. These devices are also power MOSFETs designed for high frequency and high power applications with similar specifications and performance characteristics.
Features

The IXTK120N25P is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 250V and a current rating of 120A. It has a low on-resistance of 48 mΩ and a fast switching speed. This transistor is suitable for high power applications such as motor control, power supplies, and inverters.
Pinout

The pin count of IXTK120N25P is 7 pins. This device is a high-power N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module used for power switching applications. It combines the high-speed and low-voltage drive capabilities of an MOSFET with the high-current and low-saturation voltage capabilities of a bipolar transistor.
Manufacturer

IXTK120N25P is manufactured by IXYS Corporation. They are a multinational semiconductor company specializing in the development and production of power semiconductors, integrated circuits, and power systems for a wide range of industries including automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics.
Application Field

IXTK120N25P is commonly used in applications such as industrial power supplies, motor controls, welding equipment, and switch mode power supplies. It is also used in automotive and transportation systems, as well as in renewable energy systems like solar inverters and wind turbines.
Package

The IXTK120N25P chip is in a TO-264 package, with a transistor form and size of 3.3 mm x 10 mm.