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IXTN200N10L2 48HRS

The IXTNLis designed for rugged reliability in harsh environments and demanding system

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXTN200N10L2

データシート: IXTN200N10L2 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-227-4

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXTN200N10L2 概要

The IXTN200N10L2 Power MOSFET is a cutting-edge solution specifically engineered for applications that demand optimal performance in current saturation regions. With features such as low thermal resistances and high power density, these devices excel in maintaining efficiency even under extreme conditions. By offering extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA), Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs are able to withstand the rigorous demands of linear-mode operation, which typically involve high drain voltages and currents. The suppression of electro-thermal instability ensures that the devices have larger operating windows, contributing to their reliability and longevity. Designed to prevent common device failures due to thermal and electrical stresses, these Power MOSFETs deliver exceptional performance and durability. The guaranteed FBSOAs at 75°C further solidify the reliability of this innovative solution

特徴

  • Low-power sleep mode conserves energy
  • Advanced power management for efficient operation
  • Dual-core processing for enhanced performance

応用

  • Advanced thermal regulation
  • Intelligent load sensing
  • Flexible voltage adjustment

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: IXYS Product Category: Discrete Semiconductor Modules
RoHS: Details Product: Power MOSFET Modules
Type: Linear Power MOSFET Technology: Si
Vr - Reverse Voltage: 50 V Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Mounting Style: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: IXTN200N10 Packaging: Tube
Brand: IXYS Configuration: Single
Id - Continuous Drain Current: 178 A Number of Channels: 1 Channel
Pd - Power Dissipation: 830 W Product Type: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance: 11 mOhms Factory Pack Quantity: 10
Subcategory: Discrete Semiconductor Modules Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
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