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IXFN82N60Q3

Name: IXFN82N60Q3
Brand: IXYS
Rating: 4.8 (10 reviews)

Ideal for industrial control systems, motor drives, and power supplies, this HiPerFET Pwr MOSFET offers superior reliability and efficienc

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXFN82N60Q3

データシート: IXFN82N60Q3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-227-4

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$55.378	$55.378
200	$21.432	$4286.400
500	$20.678	$10339.000
1000	$20.306	$20306.000

在庫あり: 9,458 PCS

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IXFN82N60Q3 概要

With its proven track record of exceptional performance and enhanced device ruggedness, the Q3-Class series MOSFETs represent a top choice for those seeking reliable power switching solutions. The broad range of drain-to-source voltage ratings and drain current ratings available within this series ensures that users can find the perfect device for their specific application requirements. The combination of low on-state resistance (Rdson) and gate charge (Qg) in the Q3-Class series results in superior efficiency and reduced losses during power switching operations. The utilization of the HiPerFETTM process further enhances the capabilities of the device, providing users with a reliable and efficient solution for their power management needs

特徴

Enhanced Power Cycling Reliability
Low Voltage Threshold Performance
High Temperature Operating Range

応用

Efficient power supply
Compact design
Reliable performance

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	IXYS	Product Category:	Discrete Semiconductor Modules
RoHS:	Details	Technology:	Si
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, + 30 V	Mounting Style:	Chassis Mount
Package / Case:	SOT-227-4	Series:	IXFN82N60
Packaging:	Tube	Brand:	IXYS
Configuration:	Single	Id - Continuous Drain Current:	66 A
Number of Channels:	1 Channel	Pd - Power Dissipation:	960 W
Product Type:	Discrete Semiconductor Modules	Rds On - Drain-Source Resistance:	75 mOhms
Rise Time:	300 ns	Factory Pack Quantity:	10
Subcategory:	Discrete Semiconductor Modules	Tradename:	HiPerFET
Transistor Polarity:	N-Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Unit Weight:	1.058219 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払条件		ハンドフィー
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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXFN82N60Q3 is a high-power MOSFET chip designed for use in high voltage applications. It has a breakdown voltage of 600V and a current rating of 82A, making it ideal for power supplies, motor control, and other high-power electronics. The chip offers low on-state resistance and high switching speed for efficient operation.
Equivalent

Some equivalent products of IXFN82N60Q3 chip are Infineon IPW65R019C7, Fairchild FDB85965, and Vishay SIHGAP60N60E. These are also power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
Features

IXFN82N60Q3 is a fast switching N-channel power MOSFET with a high power handling capability of 82A and 600V. It has a low on-resistance of 0.065 ohms, making it efficient for high power applications. The MOSFET also has a compact TO-268 package with a lead-free design for environmentally friendly applications.
Pinout

IXFN82N60Q3 is a power MOSFET with a TO-268 package, having 3 pins: gate, drain, and source. It is designed for high-speed switching and high-power applications due to its low on-resistance and fast switching speed.
Manufacturer

IXYS Corporation is the manufacturer of IXFN82N60Q3. It is a global semiconductor company that designs, develops, and manufactures power semiconductors used in a wide range of applications, including industrial, automotive, telecommunications, and consumer electronics. They specialize in providing high-performance power conversion and power management solutions.
Application Field

IXFN82N60Q3 is a N-channel power MOSFET designed for high voltage applications. It is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high voltage switching applications. Its high efficiency, low on-resistance, and high current carrying capacity make it suitable for a wide range of industrial and automotive applications.
Package

The IXFN82N60Q3 chip comes in a TO-247 package type, with a single form that is through-hole mounted. The size of the chip is approximately 25.4mm x 10.4mm x 3mm.