このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

IXFH52N30Q 48HRS

TO-247AD MOSFETs meeting ROHS standards

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXFH52N30Q

データシート: IXFH52N30Q データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
1 $28.058 $28.058
210 $11.195 $2350.950
510 $10.821 $5518.710
990 $10.636 $10529.640

在庫あり: 9,458 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください IXFH52N30Q またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

IXFH52N30Q 概要

As a flagship product in the Q-Class series, IXFH52N30Q is a premium Power MOSFET tailored for demanding applications. With its low gate charge and superior ruggedness, this HiPerFET™ model is well-suited for hard switching and resonant mode tasks. Its fast intrinsic diode enhances efficiency and reliability, making it a preferred choice for industrial professionals. The IXFH52N30Q is available in various standard packages, including isolated types, ensuring versatility and ease of integration for a wide range of applications requiring high-performance Power MOSFET solutions

特徴

  • Robust and reliable product design
  • Fully compliant with industry standards
  • User-friendly interface for easy operation
  • Sophisticated thermal management system

応用

  • Improved functionality
  • User-friendly interface
  • Seamless integration

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: IXYS Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-247-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 300 V Id - Continuous Drain Current: 52 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 60 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 150 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 360 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: HiPerFET Series: IXFH52N30
Packaging: Tube Brand: IXYS
Configuration: Single Fall Time: 25 ns
Forward Transconductance - Min: 35 S Height: 21.46 mm
Length: 16.26 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 60 ns Factory Pack Quantity: 300
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 80 ns Typical Turn-On Delay Time: 27 ns
Width: 5.3 mm

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...